类型：NOR Flash
　　容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2 x 8 Mbit 或 1 x 16 Mbit（视配置而定）
　　工艺技术：Intel Third-Generation Contact (C3) Flash
　　工作电压：5V ± 10%（标准Vcc）
　　输入/输出电压：兼容TTL电平
　　访问时间：70 ns / 90 ns（根据子型号区分）
　　封装形式：TSOP-48（TD）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　擦除耐久性：100,000 次擦写周期
　　数据保持时间：超过10年（典型值）
　　编程方式：支持字节编程与块擦除
　　块结构：包含多个可独立擦除的扇区（sector）
　　接口类型：并行异步接口（地址/数据复用或非复用模式）
　　待机电流：≤ 100 μA（典型CMOS待机模式）
　　工作电流：约 20 mA（读取模式），30 mA（编程/擦除）

28F160C3TD 采用了 Intel 的第三代接触式闪存（C3）技术，这项技术显著提升了闪存单元的可靠性和制造良率。C3 技术通过优化浮栅氧化层结构和改进源漏极接触工艺，增强了器件在高温高湿环境下的长期稳定性，并有效降低了漏电流，从而延长了数据保存时间。该芯片具备优异的抗干扰能力和抗辐射特性，适合部署在电磁环境复杂的工业现场。其核心单元设计确保了即使在频繁擦写操作下也能维持稳定的性能表现，标称可承受高达10万次的擦除/编程周期，远高于同期许多同类产品。
　　该器件支持多种电源管理模式，包括自动低功耗待机模式和深度掉电模式，在系统空闲时能大幅降低能耗，有利于提升整体系统的能效比。此外，28F160C3TD 内置了硬件级写保护机制，防止因误操作或电源波动导致关键固件被意外修改。其命令集遵循 JEDEC 标准，兼容通用的闪存控制器逻辑，便于集成到现有嵌入式平台中。芯片还支持软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，可通过特定写序列激活，进一步增强系统安全性。
　　在读取性能方面，28F160C3TD 提供了70ns的快速访问时间，足以满足大多数实时操作系统对启动代码执行速度的要求。其并行接口支持地址与数据总线的灵活配置，可适配不同主控处理器的数据宽度需求（如8位或16位模式）。同时，该芯片具备良好的热插拔鲁棒性，在上电过程中能够自动完成初始化校验，避免系统异常启动。由于采用成熟的TSOP封装，焊接工艺成熟，返修率低，适合批量生产应用。虽然不支持现代高速协议如QSPI或Octal SPI，但其稳定性和兼容性使其在传统工控领域仍然具有不可替代的价值。

28F160C3TD 主要应用于各类需要本地固件存储且对可靠性要求较高的嵌入式系统中。常见使用场景包括路由器、交换机等网络通信设备，用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。在网络基础设施设备中，该芯片能够在频繁重启和长时间运行条件下保持数据完整性，确保设备稳定启动和服务连续性。
　　在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，28F160C3TD 被用来存储控制逻辑代码和设备参数。其宽温特性和抗电磁干扰能力使其非常适合工厂车间等复杂电气环境中长期运行。
　　此外，该芯片也广泛用于医疗仪器、测试测量设备、POS终端和老式多媒体播放器等消费类电子设备中，作为主程序存储介质。在军事和航空航天领域的部分 legacy 系统中，由于认证周期长、更换成本高，28F160C3TD 依然保有应用实例。尽管当前主流趋势转向小型化、低功耗的串行NOR Flash，但在某些必须使用并行接口或XIP功能的老架构处理器平台上，该芯片仍是理想选择。

MT28F160S3-70:70ns 访问时间，类似封装与电气特性
　　S29GL032N90TFIR2: Spansion 生产的32Mbit 闪存，兼容性需评估
　　IS28F160J3D-70: 集成电路解决方案公司（ISSI）推出的兼容型号
　　AM29LV160DB-70SC: AMD 推出的16Mbit NOR Flash，引脚兼容可能性较高