型号：28F160C3BD
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　工艺技术：StrataFlash Embedded Technology
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：70 ns / 90 ns（根据不同速度等级）
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦除次数：典型100,000次
　　数据保持时间：≥ 10年
　　接口类型：并行接口
　　编程方法：字节编程、块擦除
　　软件命令集：支持Intel命令集
　　待机电流：≤ 200 μA（典型值）
　　读取电流：≤ 30 mA（典型值）
　　编程/擦除电流：≤ 50 mA（典型值）

28F160C3BD 采用Intel独有的StrataFlash技术，该技术结合了多层存储单元与先进的CMOS工艺，在保证高可靠性的同时提升了存储密度。StrataFlash允许每个存储单元存储多个位的状态，从而在相同硅片面积上实现更高的容量，相较于传统NOR Flash具有更高的性价比。该芯片支持双电压操作，仅需单一VCC电源即可完成读取、编程和擦除操作，内部集成的电荷泵自动生成编程所需的高压，无需外部提供额外的VPP编程电压，显著降低了系统设计复杂度和成本。其命令集兼容Intel标准闪存协议，用户可通过向特定地址写入规定的指令序列来触发芯片的各种操作，如进入解锁状态、执行块擦除、字节编程或查询状态寄存器等，增强了软件控制的灵活性。
　　该器件将存储阵列划分为多个可独立擦除的块（Block），便于实现局部更新和管理，避免全片擦除带来的效率损失。它支持硬件复位功能，通过RESET#引脚可使芯片恢复到只读状态，确保系统上电或异常重启时能够正常加载引导代码。28F160C3BD 还具备输出使能（OE#）、写入使能（WE#）和片选（CE#）等标准控制信号，便于与微处理器或微控制器直接连接，构建高效的本地代码执行环境（XIP, eXecute In Place）。由于其快速的随机访问能力和良好的稳定性，特别适合用于存放BIOS、Bootloader、操作系统内核及应用程序代码。
　　在可靠性方面，该芯片设计有多种保护机制，例如软件写保护、VCC跌落检测以及编程超时保护等，防止因电源波动或误操作导致的数据损坏。同时，它符合工业级温度规范（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业自动化、网络路由器、无线基站、医疗设备等多种严苛应用场景。Intel还提供了完整的开发工具链和技术文档支持，方便客户进行驱动开发、烧录测试和系统集成。

28F160C3BD 广泛应用于各类需要嵌入式代码存储和快速启动能力的电子系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机、DSL调制解调器等产品中作为Bootloader和固件的存储介质，因其支持XIP（就地执行）模式，CPU可以直接从闪存中读取并执行指令，无需将程序加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。在工业控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，存储控制逻辑、配置参数和诊断信息，其高可靠性和宽温特性确保系统在工厂环境中长期稳定运行。
　　消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机等也常采用此类NOR Flash来存放主控程序和用户界面代码。由于28F160C3BD 具备较快的读取速度和随机访问能力，非常适合频繁读取小数据块的应用场景。在汽车电子领域，尽管当前主流趋势转向更高密度的NAND Flash或新型存储器，但在一些老式车载导航系统、车身控制模块（BCM）或仪表盘系统中仍可见其身影，用于存储初始化代码和基本驱动程序。
　　此外，该芯片也被用于各种测试仪器、医疗监控设备和安防监控系统中，承担关键启动代码和校准数据的存储任务。由于其支持长达10年的数据保持时间和高达10万次的擦写寿命，即使在长时间不通电或频繁升级固件的情况下也能保持数据完整性。配合外部EEPROM或SRAM使用，可以构建完整的嵌入式存储解决方案，满足不同层次的数据存储需求。随着技术演进，虽然新型串行QSPI Flash逐渐取代部分并行Flash市场，但28F160C3BD 仍在一些遗留系统维护、工业备件替换和特定高性能要求场合中保持一定的使用价值。

28F160C3TC
　　28F160S3T
　　28F160S3B
　　S29GL128P
　　MT28EW128