时间:2025/12/26 17:09:06
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Intel 28F010是一款由英特尔公司推出的1兆位(128K x 8)的快速页模式闪存(Flash Memory)芯片,属于早期的NOR型闪存器件。该芯片于1990年代初期推出,主要用于需要非易失性存储的应用场合,如固件存储、BIOS存储以及嵌入式系统中的程序代码存储。28F010支持电可擦除和可编程功能,无需紫外线擦除,相较于早期的EPROM具有更高的使用便利性。该芯片采用标准的并行接口设计,兼容常见的微处理器总线时序,便于集成到各种系统中。其封装形式通常为40引脚的DIP(双列直插式封装)或TSOP封装,适合在工业控制、通信设备、个人计算机和其他嵌入式系统中应用。28F010支持字节写入和块擦除操作,内部被划分为八个可独立擦除的64KB扇区,提升了擦写灵活性。此外,该芯片具备较高的可靠性与耐久性,在商业级温度范围内(0°C至70°C)可保证至少10万次的擦写周期,并可保存数据长达10年。尽管随着技术进步,28F010已被更高密度、更低功耗的现代闪存所取代,但在一些老旧设备维护、工业设备升级或复古计算项目中仍具有一定的应用价值。
容量:1 Mbit (128K × 8)
组织结构:128K字节,8位数据宽度
工作电压:5V ± 10%
访问时间:典型值为90ns、120ns和150ns(根据具体型号后缀区分)
封装类型:40-pin DIP, 44-pin TSOP
工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
擦写耐久性:≥ 100,000 次擦写周期
数据保持时间:≥ 10 年
编程电压:内部电荷泵生成,无需外部高压
擦除方式:按扇区(Sector Erase)或整片擦除(Chip Erase)
扇区结构:8个64KB扇区,共512KB(注:实际总容量为128KB × 8 = 1MB,此处应为每个扇区16KB,共8个,总计128KB?存在资料矛盾,需核对原始文档)
28F010的核心特性之一是其基于NOR架构的快速随机访问能力,使其能够直接在闪存上执行代码(XIP, eXecute In Place),这在嵌入式系统中极为关键。该芯片采用浮栅MOSFET技术实现非易失性存储单元,每个存储单元可在不供电的情况下长期保留数据。其快速页模式允许在连续地址访问时减少等待时间,提升读取效率。芯片内置智能算法用于自动擦除和编程控制,用户只需发送命令序列即可完成操作,降低了软件驱动开发的复杂度。28F010支持硬件写保护功能,通过特定引脚(如WP#)防止意外写入或擦除,增强了系统的可靠性。此外,它具备低功耗待机模式,在未进行读写操作时自动进入低功耗状态,适用于对能耗有一定要求的应用场景。该器件还集成了内部电荷泵,能够在5V单电源下完成编程和擦除所需的高压生成,无需额外提供12V编程电压,简化了电源设计。错误管理方面,虽然不具备ECC纠错功能,但其高耐久性和稳定性使其在大多数工业环境中表现可靠。28F010兼容JEDEC标准的命令集,支持通过标准微处理器接口进行控制,便于移植和替换。尽管其擦除粒度较大(以扇区为单位),限制了小数据更新的效率,但对于固件类静态数据存储而言影响较小。总体而言,28F010以其成熟的工艺、稳定的性能和广泛的兼容性,在当时的嵌入式市场中占据重要地位。
28F010广泛应用于需要存储启动代码或固件的系统中,尤其是在1990年代的个人计算机中常用于存储BIOS程序,使得主板可以在断电后依然保留配置信息和启动逻辑。此外,它也被大量用于工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)设备以及数控机床中,用于存放控制程序和参数设置。在网络通信设备中,如路由器、交换机和调制解调器,28F010用于保存引导程序和基本操作指令。由于其支持XIP特性,许多嵌入式微控制器系统将其作为外部程序存储器使用,配合MCU运行实时任务。在消费类电子产品中,例如老式打印机、复印机和多媒体播放设备,28F010也承担着固件存储的角色。此外,在军事和航空航天领域的部分老旧系统中,由于长期服役需求,仍在使用此类成熟可靠的元器件。目前,虽然该芯片已停产多年,但在设备维修、逆向工程、复古计算(如复刻经典PC或游戏主机)等领域仍有需求。教育机构和电子爱好者也常利用其简单的接口结构进行存储器原理教学和实验开发。
28F010-90
28F010-120
28F010-150
AMD AM28F010
ST M28F010
Siemens SAB28F010