时间：2025/5/10 16:02:15
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27-21/GHC-YR1S2M/3C 是一款基于 YR1 系列的高性能功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：27-21/GHC-YR1S2M/3C
类型：N-Channel Power MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ
Id（持续漏极电流）：120A
Qg（栅极电荷）：45nC
fsw（最大开关频率）：500kHz
Ptot（总功耗）：180W
封装形式：TO-247
这款 MOSFET 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率输出。
4. 内置过温保护功能，提高系统的可靠性。
5. 优异的热性能，有助于长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 高效的功率转换能力，适用于多种工业和消费类电子设备。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换装置。
6. UPS 不间断电源系统。
GHC-YR1S2M-P3C, IRF540N, FDP55N06L
