26MB10A 时间：2025/12/26 20:20:21 阅读：33

26MB10A是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SMB（DO-214AA）封装，具有单个二极管结构。该器件专为高频、高效率的整流应用而设计，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中。其主要优势在于低正向压降和快速反向恢复特性，能够有效降低功耗并提升系统整体能效。26MB10A的最大重复峰值反向电压（VRRM）为100V，最大平均整流电流（IO）为2.0A，在典型工作条件下表现出优异的热稳定性和可靠性。该二极管符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）和符合JEDEC MS-017的潮湿敏感度等级1（MSL 1）等特性，适合自动化表面贴装工艺。由于其紧凑的SMB封装形式，26MB10A适用于空间受限的高密度PCB布局场景。此外，该器件还具备良好的浪涌电流承受能力，增强了在瞬态负载条件下的运行稳定性。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：100V
　　最大直流阻断电压 VR：100V
　　最大平均整流电流 IO：2.0A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：50A
　　最大正向压降 VF：850mV @ 2A, 100°C
　　最大反向漏电流 IR：1.0mA @ 100V, 25°C
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMB (DO-214AA)
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：2
　　热阻 θJA：65°C/W
　　反向恢复时间 trr：典型值 < 5ns

特性

26MB10A的核心特性之一是其低正向导通压降性能，在2A电流和高温（100°C）条件下仍能保持不超过850mV的压降水平，这一特性显著降低了整流过程中的功率损耗，尤其适用于对能效要求较高的电源转换系统。传统硅PN结二极管通常具有约0.7V至1.2V的正向压降，而肖特基二极管利用金属-半导体接触形成的势垒实现更低的开启电压，从而减少I2R损耗和热量积累。这种低VF特性不仅提升了转换效率，还减少了散热设计的复杂性，使得终端产品可以实现更小的体积与更高的功率密度。
　　另一个关键特性是其极快的反向恢复时间（trr < 5ns）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷（Qrr），避免了传统快恢复二极管中存在的反向恢复尖峰电流和电磁干扰（EMI）问题。这使其非常适合用于高频开关环境，如PWM控制的DC-DC变换器、有源钳位电路或同步整流辅助电路中，有助于提高开关频率并减小滤波元件尺寸。
　　该器件具备高达50A的峰值非重复浪涌电流承受能力，能够在上电瞬间或负载突变时有效抵抗瞬态过电流冲击，提高了系统的鲁棒性和长期运行可靠性。同时，其-55°C至+125°C的工作结温范围表明其可在严苛的工业或汽车级环境中稳定运行。SMB封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性，并兼容回流焊工艺，便于大规模自动化生产。此外，器件满足AEC-Q101认证要求（部分批次），可用于车载电子系统，例如LED车灯驱动、电池管理系统（BMS）中的反接保护等应用场景。

应用

26MB10A常用于各类中低功率开关电源整流环节，特别是在输出侧作为续流或自由轮二极管使用，例如在反激式（Flyback）、正激式（Forward）或降压型（Buck）拓扑中承担能量释放路径的角色。它也广泛应用于DC-DC转换模块，用于提高轻载和满载条件下的转换效率。在便携式电子设备如笔记本电脑适配器、USB-PD充电器、智能家电电源板中，该器件凭借其高效率和小尺寸成为理想选择。此外，26MB10A还可用于逆变器电路中的防倒灌二极管、太阳能微逆变器的旁路保护、电机驱动H桥中的续流支路，以及各类需要极性反接保护的直流输入接口。由于其具备良好的高频响应能力和较低的电磁噪声产生特性，也被用于通信设备电源单元和工业控制系统中。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理及辅助电池充电电路中。