2673A05FCV 时间：2025/9/7 2:34:47 阅读：15

2673A05FCV 是一款由 Semiconductor Components Industries（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛用于电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。其封装形式为 TO-220，便于安装在散热器上以提高热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：15A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2673A05FCV 具备良好的导通特性和较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，同时减少了功率损耗。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压系统，如工业电源和电机控制电路。此外，该器件的封装设计有助于有效散热，提高了器件在高功率工作条件下的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 +10V 至 +20V 之间正常工作，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其快速开关特性也有助于提高系统的效率，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　此外，2673A05FCV 在高温环境下依然保持稳定性能，具备良好的热稳定性，适用于对散热要求较高的应用场合。其坚固的结构设计和高质量的制造工艺，也确保了器件在恶劣工作环境下的可靠性。

应用

2673A05FCV 主要应用于各种功率电子设备中，包括：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC 转换器
　　- 电机驱动和控制电路
　　- 电池管理系统
　　- 工业自动化和控制设备
　　- 逆变器和变频器
　　- 高压负载开关
　　特别是在需要高耐压、中高功率输出的场合，2673A05FCV 提供了可靠的性能和稳定的运行。