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25YXJ100MT15X11 发布时间 时间:2025/9/8 20:23:40 查看 阅读:4

25YXJ100MT15X11 是一种由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这种芯片被设计用于提供高性能和高密度的存储解决方案,适用于各种计算和存储设备,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。该型号的存储容量为 256MB,工作频率为 150MHz,并采用标准的 TSOP(薄型小外形封装)封装形式,以适应现代电子设备对空间的严格要求。

参数

存储容量:256MB
  工作频率:150MHz
  封装类型:TSOP
  电压范围:2.3V - 3.6V
  数据总线宽度:16位
  时钟频率:150MHz
  访问时间:15ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

25YXJ100MT15X11 具备高性能和高可靠性的特点,使其成为许多存储应用的理想选择。其150MHz的工作频率能够提供高速数据访问,满足对系统性能有较高要求的应用场景。芯片采用的TSOP封装技术不仅减少了占用空间,还提升了散热性能,有助于维持稳定的工作状态。此外,其支持的宽电压范围(2.3V - 3.6V)增加了设计的灵活性,使得芯片能够适应不同的电源管理方案。
  该芯片的数据总线宽度为16位,能够同时传输更多的数据,进一步提升数据传输效率。其访问时间为15ns,确保了快速响应和高效的数据处理能力。在工作温度范围方面,-40°C 至 +85°C 的宽温度支持使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行,增强了设备的适用性和稳定性。

应用

25YXJ100MT15X11 广泛应用于需要高性能存储解决方案的设备中。其主要应用领域包括个人电脑、服务器、网络设备、嵌入式系统(如工业控制设备、医疗设备)、消费类电子产品(如智能电视和游戏主机)等。在这些应用中,该芯片可以用于临时存储运行数据、缓存、图形处理存储等任务,提供可靠的数据访问支持。
  由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片也非常适合在工业和汽车电子系统中使用,例如车载信息娱乐系统、工业自动化控制器等。此外,在需要高速缓存的场景中,如路由器和交换机,该芯片能够显著提升数据包的处理速度和系统响应能力,从而提升整体性能。

替代型号

256MB-150MHZ-DRAM, 25YXJ100MT15X11-替代型号包括MT48LC16M1A2B4-6A、CY7C1041GN30、IS61LV25616AL

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25YXJ100MT15X11参数

  • 现有数量9现货
  • 价格1 : ¥2.07000剪切带(CT)2,000 : ¥0.47906带盒(TB)
  • 系列YXJ
  • 包装剪切带(CT)带盒(TB)
  • 产品状态在售
  • 电容100 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 5000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流175 mA @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流250 mA @ 100 kHz
  • 阻抗400 mOhms
  • 引线间距0.098"(2.50mm)
  • 大小 / 尺寸0.197" 直径(5.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.492"(12.50mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can