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25X40CLN1G 发布时间 时间:2025/8/20 15:07:12 查看 阅读:4

25X40CLN1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管设计用于高频和中功率应用,广泛应用于射频(RF)放大器、音频放大器和开关电路中。其封装形式为TO-220AB,具有良好的散热性能,适合在中等功率条件下工作。由于其优异的电气性能和可靠性,25X40CLN1G 常用于工业控制、电源管理和消费类电子产品中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(IC):15 A
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):60 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5 V
  最大功耗(PD):75 W
  电流增益(hFE):在2 A IC时为15至70(具体值取决于等级)
  过渡频率(fT):5 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

25X40CLN1G 拥有多项显著特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其NPN结构和高达15A的最大集电极电流使其能够处理较大的负载电流,适用于高功率应用。其次,该晶体管的集电极-发射极电压(VCEO)为40V,集电极-基极电压(VCBO)为60V,具备较强的电压承受能力,确保在较宽的电压范围内稳定工作。
  该晶体管的最大功耗为75W,结合其TO-220AB封装形式,具备良好的散热能力,适合长时间运行在中高功率条件下。此外,其电流增益(hFE)在2A集电极电流下可达到15至70,具有较高的放大能力,适用于需要较高增益的放大电路。
  25X40CLN1G 的过渡频率(fT)为5MHz,支持在中高频范围内工作,适用于射频和音频放大器设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下保持稳定运行,适用于工业级应用。该晶体管还具备较高的可靠性和耐用性,适合长期运行在高要求的电子系统中。

应用

25X40CLN1G 主要应用于需要中高功率放大的电子电路中。其典型应用包括射频(RF)功率放大器、音频功率放大器、开关电源、电机驱动电路和工业控制系统。在音频放大器中,该晶体管可以用于推动扬声器或耳机,提供高质量的声音输出。在开关电源和电机控制中,它可以用作开关元件,实现高效的能量转换和控制。
  此外,25X40CLN1G 也常用于电源管理模块、DC-DC转换器、逆变器和UPS系统中,作为功率调节和控制的核心元件。由于其良好的高频特性和较高的电流处理能力,它还可以用于高频振荡器和调制电路中。在消费类电子产品、汽车电子系统和工业自动化设备中均有广泛应用。

替代型号

TIP142, MJ15003G, 2N6292

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