类型: N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 25V
　　最大栅源电压(Vgs): ±20V
　　最大连续漏极电流(Id): 190A
　　导通电阻(Rds(on)): 2.2mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd): 250W
　　工作温度范围: -55°C ~ 175°C
　　封装类型: TO-263 (D2PAK)

25WA2200M16X20 MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为2.2毫欧，这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　此外，该MOSFET具备高电流承载能力，额定连续漏极电流可达190A，非常适合用于高功率密度设计。器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，有助于减少开关损耗，提高整体性能。
　　该器件的最大漏源电压为25V，最大栅源电压为±20V，确保在多种电源管理应用中具有良好的稳定性和耐用性。此外，其TO-263封装形式具备优良的热管理能力，能够有效散热，防止因高温导致的性能下降或损坏。
　　25WA2200M16X20的热阻（RθJA）约为0.4°C/W，意味着在标准PCB布局下能够有效散发热量，适用于高功率和高密度电源设计。该器件还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。
　　另外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损失，从而提升开关速度和效率，特别适用于高频开关电源、同步整流器和电池管理系统等应用。

25WA2200M16X20 MOSFET广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源、电动工具、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及高功率LED驱动器等。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如，在服务器电源中，它可以作为主开关器件，提供高效的功率转换；在电动工具和电动车控制系统中，它可用于驱动大功率电机；在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　此外，该MOSFET也适用于同步整流器设计，可显著提高AC-DC电源的效率。在高频电源应用中，其低Qg特性和快速开关能力有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。同时，由于其良好的散热性能和耐高温能力，25WA2200M16X20也适用于需要长时间高负载运行的工业自动化和电力电子系统。

SiR1820DP-T1-GE3, IRF1324S3PPBF, SQJA40EP, FDBL0220LSD_F085