25TTS16 时间：2025/12/26 19:13:37 阅读：15

25TTS16是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于高效率电源转换和功率开关场景。该器件采用TO-220AB封装，具备优良的导通电阻特性和热稳定性，适合在中高功率条件下工作。25TTS16的设计注重低栅极电荷和低导通损耗，使其在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等应用中表现出色。其额定电压为160V，最大连续漏极电流可达25A，适用于需要高电流承载能力的工业与消费类电子设备。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。25TTS16符合RoHS环保标准，并具备较高的抗干扰能力和长期工作稳定性，是现代电力电子设计中的常用器件之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：160V
　　连续漏极电流（ID）：25A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值45mΩ @ VGS=10V，最大值55mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1900pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值350pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

25TTS16具备出色的电气性能和热管理能力，其低导通电阻确保了在大电流工作条件下的低功耗表现，从而减少发热并提升整体系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为55mΩ最大值，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适合用于高频率开关应用如SMPS（开关模式电源）和同步整流电路。其高电流承载能力（25A连续漏极电流）使得在电机控制或电源模块中无需并联多个MOSFET即可满足负载需求，简化了PCB布局与散热设计。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值为35nC），有助于降低驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而提高电源系统的动态响应能力。同时，较低的输入电容和输出电容减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的可行性。此外，25TTS16具备良好的跨导（增益）特性，能够实现精确的栅极控制，避免因驱动不足导致的非饱和导通问题。
　　在可靠性方面，25TTS16具备较强的雪崩耐量，能够在电压瞬变或感性负载断开时承受一定的能量冲击，防止器件因过压击穿而损坏。这一特性对于电机驱动、逆变器和UPS等存在高感性负载的应用尤为重要。其高达150°C的最大工作结温允许在高温环境下稳定运行，配合适当的散热片可进一步延长使用寿命。TO-220AB封装提供了良好的机械强度和热传导路径，便于安装于散热器上，有效将内部热量导出，保障长时间满负荷运行的安全性。

应用

25TTS16广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器件，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率。在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供高效且可靠的电流控制能力。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆系统中，25TTS16常被用作功率级开关元件，处理电池与交流负载之间的能量转换。
　　工业控制设备中也大量采用该器件，例如PLC输出模块、电磁阀驱动和电源分配单元，得益于其高电流容量和耐用性。在消费类电子产品中，如大功率LED驱动电源、充电站和家用逆变器，25TTS16同样表现出良好的适应性。由于其具备较强的抗噪声能力和稳定的电气参数，该器件也被用于汽车电子辅助电源系统（非车载）以及电动工具的控制器中。总之，凡涉及160V以内电压等级、需承载较大电流且对效率有要求的开关应用，25TTS16均是一个可靠的选择。