时间：2025/5/22 17:46:56
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25TQC22MYFD 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该型号具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高效率和高频率的应用场景中使用。
这款 MOSFET 采用 Trench 技术制造，能够提供卓越的电流处理能力和较低的功耗。其封装形式通常为行业标准的小型化封装，方便在紧凑型设计中集成。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
25TQC22MYFD 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够显著减少传导损耗，提高整体系统效率。
此外，它的快速开关特性使其非常适合高频开关模式电源（SMPS）和其他需要快速动态响应的电路。
该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行。同时，其小型化的封装形式有助于简化 PCB 布局并节省空间。
MOSFET 的栅极驱动要求相对简单，便于与各种控制器配合使用。
该元器件常用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. 电机驱动（Motor Drivers）
3. 负载开关（Load Switches）
4. DC-DC 转换器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 汽车电子中的功率控制模块
7. 工业自动化设备中的功率转换电路
25TQ016N, 25TQ022N, 25TQ028N
