时间：2025/6/6 11:04:51
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25TQC100MD3是一款基于硅基技术的MOSFET功率晶体管，专为高效率、高性能的应用场景设计。该器件采用TO-252封装形式，能够承受较高的电压和电流负载，同时保持较低的导通电阻，从而减少能量损耗并提升系统效率。
此型号通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统等应用领域。其先进的制程工艺和优化的设计使其在高频工作条件下表现出色，并具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：500kHz
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252
25TQC100MD3的主要特性包括：
1. 高电压耐受能力，额定值可达100V，适用于多种工业级应用场景。
2. 极低的导通电阻（4mΩ），有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
3. 小巧的TO-252封装形式，在节省空间的同时提供卓越的散热性能。
4. 快速开关能力，支持高达500kHz的工作频率，满足高频电路需求。
5. 稳定的电气性能和高可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
6. 宽泛的结温范围（-55℃至175℃），适应各种温度条件下的使用要求。
25TQC100MD3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC-DC转换器，如降压或升压型稳压电路。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
4. 电池管理系统的充放电保护电路。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 汽车电子领域的负载开关和电源管理模块。
25TQC100MD2
IRFZ44N
STP30NF10
FQP27P06
