25SEK270M 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用。这款器件采用了增强型E-Mode GaN HEMT结构,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和功率密度。
该器件封装形式通常为表面贴装(SMD),便于自动化生产并减少寄生电感对高频性能的影响。其出色的热性能也使其在紧凑型设计中表现出色。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:27A
导通电阻:25mΩ
栅极电荷:90nC
输入电容:1380pF
反向传输电容:25pF
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
25SEK270M 的主要特点是其低导通电阻(25mΩ),这使得传导损耗大大降低,从而提高了整体系统效率。
此外,它的栅极电荷较小(90nC),可以实现更快的开关速度,减少开关损耗。
GaN 技术的应用让该器件具备更高的开关频率(可达数MHz),同时保持较低的电磁干扰(EMI)。
由于其卓越的热性能,即使在高温环境下也能稳定运行,非常适合要求严苛的工业和汽车级应用。
25SEK270M 广泛应用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,例如服务器电源、通信电源、电动汽车车载充电器(OBC)、无线充电发射端以及激光雷达驱动电路。
在消费电子领域,它可用于快充适配器以实现小体积和高效率的结合。
工业控制方面,此器件也适用于伺服驱动器、电机控制器和 UPS 系统中的功率级部分。
GXT27R650E
NFG016L060A
GD27R650B