25RIA100 时间：2025/12/26 19:34:30 阅读：16

25RIA100是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高效率、高电压肖特基整流二极管模块，专为高功率电源应用设计。该器件采用先进的平面硅技术制造，具备优异的热稳定性和长期可靠性。25RIA100由两个独立的肖特基二极管组成，通常配置为共阴极或单二极管结构，适用于需要高电流和低正向压降的应用场景。该器件的最大重复反向电压为100V，平均整流电流可达25A，因此广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能光伏系统等电力电子设备中。
　　25RIA100封装在TO-247形式的高性能绝缘封装中，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适合在高温环境下工作。其低正向电压降（VF）特性有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件无反向恢复时间（trr ≈ 0），显著降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高频开关电路。由于其出色的电气和热性能，25RIA100在工业电源、通信电源和汽车电子等领域得到了广泛应用。

参数

型号：25RIA100
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：肖特基整流二极管
　　二极管配置：双独立二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IF(AV)）：25A（单管，Tc=80°C）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A（t=8.3ms，单半波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.52V，最大值0.6V（在TC=25°C，IF=12.5A时）
　　反向漏电流（IR）：最大10mA（在TC=25°C，VR=100V时）；高温下可能上升至100mA（TC=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RthJC）：约1.2°C/W（每个二极管）
　　封装类型：TO-247AC（三引脚）
　　安装方式：螺钉固定或散热片安装

特性

25RIA100的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现极低的正向导通压降和几乎为零的反向恢复时间。这一特性使得该器件在高频开关电源中表现出色，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体能效。与传统的快恢复二极管相比，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流尖峰，有效减少了电磁干扰（EMI）和电压过冲问题，提高了系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　该器件具有高达25A的平均整流电流能力，并可在瞬态条件下承受高达300A的非重复浪涌电流，展现出卓越的过载能力和系统鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，通过外部散热器可有效将热量从PN结传递至环境，确保器件在高负载下仍保持安全工作温度。
　　25RIA100的双二极管结构设计提供了灵活的电路配置选项，可用于全波整流、中心抽头变压器整流或并联使用以提高电流容量。每个二极管之间电气隔离，便于布局和热管理。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。其高可靠性已在多个工业认证体系中得到验证，适合用于对安全性要求较高的电源系统。

应用

25RIA100广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出整流级的主二极管，尤其是在低压大电流输出（如12V、5V、3.3V）的应用中，其低正向压降特性可大幅降低导通损耗，提升电源效率。在DC-DC转换器中，特别是同步整流拓扑尚未普及或成本受限的场合，25RIA100作为续流二极管或输出整流二极管，表现出良好的动态响应和稳定性。
　　在太阳能光伏逆变器系统中，25RIA100可用于防反接保护电路或旁路二极管，防止电池板在阴影条件下产生热斑效应。其高浪涌电流承受能力也使其适用于电机驱动和变频器中的续流路径，保护IGBT等开关器件免受反电动势冲击。此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源系统中，该器件用于AC-DC整流后的次级整流或电池充放电回路，保障系统在市电异常时的持续供电能力。
　　工业电源、焊接设备、充电站和电信电源系统也是25RIA100的重要应用领域。由于其工作温度范围宽、可靠性高，该器件特别适合部署在高温、高湿或振动强烈的工业环境中。同时，其TO-247封装便于集成到模块化电源设计中，支持自动化装配和高效散热设计，满足现代电源系统对小型化、高密度和高可靠性的需求。