25P16V6G 时间：2025/7/23 2:36:05 阅读：9

25P16V6G 是一款由 Vishay Semiconductor（威世科技）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率的功率转换和控制应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等领域。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于中高功率的应用环境。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：160V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

25P16V6G 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在导通状态下功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有较高的额定电流能力（25A），可在高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 160V，具备较强的电压耐受能力，适用于多种电源转换电路。其栅极驱动电压范围宽广（±20V），支持与多种控制 IC 的兼容性，便于系统集成。
　　采用 TO-220 封装形式，25P16V6G 具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的工作温度，从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外，其工作温度范围宽（-55°C 至 +175°C），适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。

应用

25P16V6G 常用于多种功率电子系统中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器、电源开关和负载管理电路等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效电源设计的理想选择。
　　在工业自动化和电机控制应用中，25P16V6G 可用于 H 桥驱动器和直流电机控制模块，实现高效能的电机调速与方向控制。在电源管理系统中，该器件可用于负载切换、电池充放电控制等关键环节。
　　此外，25P16V6G 也适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路等应用。其高耐压和高效率特性使其在这些高要求环境中表现出色。
　　由于其良好的热管理和可靠性，25P16V6G 也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和电池管理系统等。在这些应用中，该器件能够承受较高的温度变化和电流负载，确保系统的长期稳定运行。