25N05 时间：2025/12/29 14:59:34 阅读：14

25N05是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制及高电流开关应用中。该器件采用TO-220或TO-263等封装形式，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点。25N05的命名中，“25”表示其最大连续漏极电流为25A，“N”代表N沟道，“05”表示其漏源击穿电压为50V。该MOSFET具有良好的热稳定性和高效的开关性能，适合在中高功率的电源系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.04Ω（典型值，具体取决于Vgs）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263等
　　功耗（Pd）：125W
　　栅极电荷（Qg）：约45nC
　　漏极电荷（Qd）：约140nC
　　输入电容（Ciss）：约1300pF

特性

25N05具有多个关键特性，使其适用于各种功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件的高耐压能力（50V）使其能够在较宽的电压范围内安全工作，适用于多种电源拓扑结构。此外，25N05具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于高密度电源设计。该MOSFET的高电流承载能力（25A）使其适用于需要大电流驱动的应用，如电机控制、电源适配器和电池管理系统。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，25N05的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），使其兼容多种驱动电路设计。

应用

25N05被广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电器和放电管理系统、LED照明驱动电路、逆变器以及工业自动化控制系统。在这些应用中，25N05以其低导通电阻和高电流能力，提供了高效的功率控制解决方案。此外，在新能源系统如太阳能逆变器和电动车电池管理系统中，25N05也常用于主开关或同步整流器件。