时间：2025/9/8 21:20:19
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25MXC47000MEFCSN35X50 是一款由Micron Technology（美光科技）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的DRAM技术，适用于需要高性能和高存储密度的应用场景。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于多种电子设备，包括消费类电子产品、工业设备以及通信设备。该芯片的存储容量为470MB，工作电压为1.8V至3.3V，具备较高的数据存取速度和较低的功耗特性。
容量：470MB
电压范围：1.8V - 3.3V
封装类型：TSOP
数据总线宽度：16位
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
25MXC47000MEFCSN35X50 的主要特性包括高性能的存储访问速度、低功耗设计、宽电压工作范围以及适应性强的工作温度范围。该芯片支持异步和同步操作模式，能够满足不同应用场景下的需求。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高集成度。此外，该芯片具备良好的热稳定性和电气稳定性，适用于在苛刻环境中运行的设备。
该芯片的异步模式允许其在不需要高速时钟同步的情况下运行，适用于传统控制系统和低功耗应用。同步模式则提供了更高的数据传输速率，适合用于高速缓存、图形处理和数据缓冲等场景。芯片内部还集成了自动刷新和自刷新功能，有效延长了数据保持时间，减少了外部控制器的负担。
由于其宽电压工作范围和广泛的温度适应性，该芯片可以在多种电源条件下稳定运行，适用于便携式设备、工业自动化设备和车载电子系统。
25MXC47000MEFCSN35X50 常用于需要高性能和高存储密度的电子设备中，例如嵌入式系统、网络设备、图像处理设备和工业控制设备。其高速数据存取能力和低功耗特性也使其适用于便携式电子产品，如平板电脑、智能终端和通信模块。此外，该芯片还可用于数据存储缓冲、高速缓存以及需要临时存储大量数据的系统。
25MXC47000MEFCMN35X50, 25MXC47000MEFCRN35X50
