类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：15A
　　最大漏源电压：25V
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压范围：-12V ~ +20V
　　最大功耗：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

25ML15M4X7 的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流工作时能够显著降低功率损耗，提高系统效率；其沟槽式结构设计优化了导通和开关性能之间的平衡，从而实现更高的能效；器件支持高频开关操作，适合用于高频DC-DC转换器应用，以减小外部电感和电容的尺寸，提高整体功率密度。
　　此外，该MOSFET采用了PowerPAK MLP33-4封装，这种无引脚封装技术不仅提高了热传导效率，还能在PCB布局上节省空间，非常适合对尺寸和散热有较高要求的设计。该器件具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作条件下稳定运行，提高系统的可靠性。
　　栅极驱动电压范围较宽，支持10V至12V驱动，兼容常见的MOSFET驱动器，便于设计和应用。同时，该器件的寄生电容较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。这些特性使得25ML15M4X7成为高性能电源管理应用的理想选择。

25ML15M4X7 主要应用于高效电源转换系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率开关电源中表现出色，能够有效提升系统效率并减小整体尺寸。
　　此外，该MOSFET适用于电机驱动、电源管理IC（PMIC）外围电路、服务器和通信设备的电源模块，以及便携式电子产品中的电源管理部分。由于其封装形式支持高密度布局，因此特别适合空间受限的便携设备和高功率密度的工业电源应用。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、电池管理系统和电动工具控制电路中也有广泛的应用潜力。其优异的热性能和稳定性确保在高温环境下仍能保持良好的工作状态。

Si2302DS、IRLZ44N、FDN340P、FDS6675、IPD3N03CD、25ML12M4X7、25ML18M4X7