存储容量：1Gb（128MB）
　　工艺技术：SLC NAND
　　接口类型：Parallel NAND
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　封装形式：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　数据读取速度：最高可达50ns（访问时间）
　　编程/擦除周期：10万次以上
　　数据保持时间：10年以上

25ML10M4X5是一款SLC NAND闪存芯片，具有较高的耐用性和数据保持能力。其SLC（Single-Level Cell）技术使得每个存储单元仅存储1位数据，从而提高了数据的可靠性和读写寿命。该芯片的并行NAND接口支持高速数据传输，适用于对速度和稳定性有一定要求的应用场景。
　　此外，25ML10M4X5支持低功耗模式，可以在设备不工作时降低功耗，延长电池寿命。其宽电压范围设计（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源环境，增强了设计的灵活性。该芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性，适合在工业级环境中使用。
　　在封装方面，TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，提高设备的集成度。由于其较高的可靠性和广泛的应用范围，25ML10M4X5被广泛用于嵌入式存储系统、数据采集设备、工业控制设备等产品中。

25ML10M4X5 NAND闪存芯片广泛应用于各种需要非易失性存储的电子设备中。其主要应用包括：
　　? 嵌入式系统：如工控主板、嵌入式计算机、智能仪表等，用于存储引导代码、操作系统和用户数据。
　　? 固态硬盘（SSD）：用于入门级或低功耗SSD中，作为缓存或主存储单元。
　　? 存储卡与USB闪存盘：适用于对容量要求不高但对可靠性有一定要求的便携式存储设备。
　　? 通信设备：如路由器、交换机等，用于存储固件和配置信息。
　　? 消费电子产品：如数码相机、MP3播放器、电子书等，用于存储多媒体文件和系统数据。
　　? 工业控制与自动化设备：用于数据记录、程序存储和设备配置信息的保存。

? K9F1G08U0A (Samsung SLC NAND)
　　? TC58NVG1S3A (Toshiba SLC NAND)
　　? MT29F1G08ABAFA (Micron NAND Flash)