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25MH710MTZ5X7 发布时间 时间:2025/9/8 1:43:50 查看 阅读:7

25MH710MTZ5X7 是一款由 Micron Technology 制造的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于特定的存储器模块类别,通常用于需要高速数据访问的嵌入式系统和计算平台。Micron 是全球领先的半导体存储器制造商之一,其产品广泛应用于消费电子、工业、网络和汽车等多个领域。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装类型:TSOP
  工作电压:1.8V - 3.3V
  数据速率:166MHz
  组织结构:x16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

25MH710MTZ5X7 提供了可靠的存储解决方案,适用于多种应用环境。该芯片具有低功耗设计,能够在不同的电压范围内工作,使其适应于多种电源条件。166MHz 的高速数据速率确保了快速的数据传输能力,适用于需要高性能存储的应用。此外,该芯片的工作温度范围较宽,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
  这款 DRAM 芯片采用了 x16 的数据总线宽度,提供更高的数据吞吐量,适用于图像处理、数据缓存和系统内存扩展等场景。TSOP(薄型小外形封装)封装形式有助于节省电路板空间,并提供良好的散热性能。此外,Micron 的 DRAM 技术在行业内具有良好的稳定性和兼容性,适合长期使用。
  该芯片还支持自动刷新和自刷新模式,以减少功耗并保持数据完整性。自动刷新功能可以在不依赖外部控制器的情况下定期刷新存储单元,确保数据不会丢失。这使得该芯片非常适合电池供电设备或需要低功耗待机功能的系统。

应用

25MH710MTZ5X7 常用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备、视频采集卡、消费电子产品以及汽车电子系统。在工业控制设备中,它可以作为主存或缓存使用,以提高系统响应速度。在网络设备中,该芯片可用于数据包缓冲和高速缓存管理。此外,在图像处理和视频存储应用中,它也能够提供高效的数据存取能力。

替代型号

25MH710MTZ5X7F, 25MH710MTZ5X7E

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25MH710MTZ5X7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥0.47175带盒(TB)
  • 系列MH7
  • 包装带盒(TB)
  • 产品状态在售
  • 电容10 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 1000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流33 mA @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流-
  • 阻抗-
  • 引线间距0.197"(5.00mm)
  • 大小 / 尺寸0.197" 直径(5.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.315"(8.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can