25H1000G 时间：2025/7/31 21:42:06 阅读：31

25H1000G 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率应用而设计，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于电源转换器、电机控制、负载开关以及各种功率电子设备中。25H1000G 采用 Houseline 封装（TO-220AB），具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25 A
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045 Ω @ VGS = 10 V, ID = 12.5 A
　　功率耗散（PD）：80 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

25H1000G 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流条件下，该器件仍能保持较低的电压降，减少发热并提高可靠性。
　　其次，该 MOSFET 的漏源电压额定值为 100 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理系统。其栅极设计支持 ±20 V 的栅源电压，增强了抗电压尖峰能力，提高了开关稳定性。
　　此外，25H1000G 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于需要高可靠性的工业环境。该封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
　　该器件的功率耗散为 80 W，支持在较高负载下长时间稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应性广泛，可在极端温度环境下正常工作。
　　总的来说，25H1000G 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于各种需要高效能功率控制的应用场景。