时间：2025/12/26 21:09:20
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25CTQ035SPBF是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用中心抽头整流配置，内部集成了两个肖特基二极管共阴极连接，适用于低压、大电流输出的直流-直流转换器和同步整流应用。该型号符合RoHS标准，采用TO-277A（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。
作为一款高性能的整流器件，25CTQ035SPBF在降低正向导通损耗和提高系统效率方面表现优异。其低正向电压降（VF）有助于减少功率损耗，提升电源系统的整体能效。同时，由于肖特基二极管的天然特性，该器件几乎无反向恢复时间，可显著减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源环境，如服务器电源、电信设备和工业电源系统。
25CTQ035SPBF的最大平均整流电流为25A，最大重复峰值反向电压为35V，能够满足大多数中等电压、大电流应用场景的需求。其封装设计支持PCB上的高效散热，确保在高负载条件下仍能稳定工作。此外，该器件具备优良的抗浪涌能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
类型：肖特基势垒二极管
配置：中心抽头整流器（双二极管共阴极）
最大重复峰值反向电压（VRRM）：35V
最大直流阻断电压（VR）：35V
最大平均整流电流（IO）：25A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A（单个半周期，60Hz正弦波）
最大正向电压降（VF）：0.54V（典型值，@ IF=12.5A, TJ=25°C）
最大反向漏电流（IR）：0.5mA（@ VR=35V, TJ=25°C）；10mA（@ VR=35V, TJ=125°C）
反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-277A（D-Pak），表面贴装
引脚数：3
热阻（RθJC）：约1.5°C/W
符合环保标准：符合RoHS，无铅（Pb-free）
25CTQ035SPBF的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向压降与零反向恢复电荷，从而大幅降低了导通损耗和开关损耗。在高频DC-DC变换器中，传统PN结二极管因存在显著的反向恢复时间，会在开关瞬间产生较大的反向恢复电流，导致额外的能量损耗和电磁干扰。而25CTQ035SPBF由于其金属-半导体结结构，几乎不存在少数载流子的储存效应，因此反向恢复时间极短（通常小于5ns），有效抑制了开关噪声，提升了系统效率与稳定性。
该器件的中心抽头整流配置特别适用于全波整流电路，常见于低压大电流输出的开关电源拓扑中，如同步整流型降压变换器或隔离式电源的次级侧整流。通过集成两个对称的肖特基二极管共阴极连接，简化了PCB布局，减少了元件数量，提高了系统可靠性。同时，25A的高平均整流电流能力使其能够支持高达数百瓦的功率输出应用，满足现代高密度电源设计的需求。
在热管理方面，TO-277A封装提供了较低的热阻（RθJC ≈ 1.5°C/W），结合大面积铜箔敷设，可有效将结温传导至PCB，避免局部过热。其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 +150°C）确保了在高温工业环境或高负载运行条件下的长期稳定性。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力（IFSM = 100A），可在启动或瞬态过载情况下承受短时大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
25CTQ035SPBF还具备出色的可靠性和一致性，经过严格的质量控制流程制造，适用于汽车、工业和通信等对可靠性要求较高的领域。其无铅封装符合现代环保法规，支持绿色制造。总之，该器件在效率、热性能、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是中等电压大电流整流应用的理想选择。
25CTQ035SPBF广泛应用于需要高效、低压大电流整流的各种电源系统中。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）电源、通信基站的DC-DC转换器、工业电源系统、UPS不间断电源以及高效率AC-DC适配器。其低正向压降和高频响应特性使其特别适用于同步整流拓扑中的副边整流环节，替代传统的快恢复二极管以提升整体能效。
在笔记本电脑、台式机主板及显卡供电系统中，该器件可用于多相降压变换器的输出级整流，帮助实现更高的转换效率和更低的温升。此外，在太阳能逆变器和LED驱动电源中，25CTQ035SPBF也可用于低压直流母线的整流与续流功能。
由于其表面贴装封装形式，该器件适用于自动化SMT生产线，便于大规模制造。其紧凑的尺寸也有助于提高PCB空间利用率，适合高密度电源模块设计。在汽车电子领域，虽然该器件非AEC-Q101认证，但仍可用于部分车载辅助电源系统，前提是满足相应的环境与可靠性要求。
MBR2535CTL
MBR2535CT
SB2535-DIO
