时间:2025/12/26 17:25:13
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256SJ3AM 是一款由 Vishay Semiconductor 生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于需要高效能和低功耗的电子设备中。该器件采用 SMC(DO-214AB)封装,具有紧凑的外形和良好的热性能,适合在高密度 PCB 布局中使用。作为肖特基二极管的一种,256SJ3AM 利用金属-半导体结的特性实现较低的正向导通电压和快速的开关响应,从而显著减少功率损耗并提高系统效率。它常用于电源整流、反向极性保护、续流二极管以及 DC-DC 转换器等应用场景。由于其出色的电气性能和可靠性,256SJ3AM 在工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域得到了广泛应用。该器件符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,并具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性,能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。此外,SMC 封装提供了较好的机械强度和散热能力,有助于提升器件在高电流负载下的耐久性。
类型:肖特基势垒二极管
极性:单路
最大重复反向电压(VRRM):300 V
最大直流阻断电压(VR):300 V
平均整流电流(IO):2.5 A
峰值正向浪涌电流(IFSM):75 A
最大正向电压(VF):850 mV @ 2.5 A, 100°C
最大反向漏电流(IR):200 μA @ 100°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
热阻抗(RθJA):50 °C/W
封装/外壳:SMC(DO-214AB)
安装类型:表面贴装(SMD)
反向恢复时间(trr):典型值 < 10 ns
峰值脉冲功率(PPPM):60 W
256SJ3AM 肖特基二极管的核心优势在于其优异的电学性能与高可靠性设计相结合。首先,该器件具有高达 300 V 的最大重复反向电压(VRRM),这在同类肖特基二极管中属于较高水平,使其能够适用于中高压整流场合,如开关电源中的输出整流或逆变电路中的续流路径。通常情况下,肖特基二极管因受材料限制,反向耐压普遍偏低(一般不超过 100 V),而 256SJ3AM 通过优化的结构设计和先进的制造工艺,在保持肖特基特性的同时实现了更高的反向阻断能力,拓宽了其应用边界。
其次,该器件的平均整流电流为 2.5 A,表明其具备较强的持续载流能力,适用于中等功率级别的电源转换系统。配合 SMC 封装所提供的良好散热性能,可以在自然对流条件下有效散发工作过程中产生的热量,确保结温维持在安全范围内。其正向导通电压典型值仅为 850 mV(在 2.5 A 和 100°C 条件下),远低于传统硅 PN 结二极管(约 1.0~1.2 V),从而显著降低了导通损耗,提高了整体电源效率,特别适合用于节能型电源设计。
再者,256SJ3AM 具备极快的开关速度,反向恢复时间 trr 典型值小于 10 ns,几乎无反向恢复电荷,因此在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗或电压尖峰,有利于减小 EMI 干扰,提升系统的电磁兼容性。这一特性使其非常适合用于高频 DC-DC 变换器、同步整流辅助电路以及高速开关电源拓扑中。
此外,该器件可在 -65°C 至 +150°C 的宽结温范围内可靠工作,展现出卓越的环境适应能力,适用于严苛工业或户外应用场景。其封装符合 IEC 60134 等国际标准,并具备良好的防潮性和机械稳定性,支持回流焊工艺,便于自动化生产。总体而言,256SJ3AM 凭借其高耐压、低 VF、快速响应和高可靠性,成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件之一。
256SJ3AM 肖特基二极管广泛应用于多种电力电子和电源管理系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流,尤其是在中低压大电流输出场景下,利用其低正向压降特性可显著提升转换效率;也可作为反向电池极性保护元件,防止因电源接反而损坏后续电路;在 DC-DC 升压或降压转换器中用作续流二极管(Freewheeling Diode),协助电感释放储能,确保电流连续性;此外还适用于逆变器、UPS 不间断电源、LED 驱动电源、太阳能充电控制器以及工业控制模块中的隔离与整流功能单元。由于其具备较高的反向耐压能力,相比普通低压肖特基管更具通用性,能在更广泛的输入电压范围内稳定工作。同时,该器件也常用于通信设备电源板、消费类电子产品适配器以及汽车电子中的辅助电源系统,满足高效率、小型化和高可靠性的设计需求。其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产,适用于大规模制造流程。
SR3M-E3/57T
VS-2.5SMC300
STTH2R03DPI
MBR25300CTG