品牌：Microchip Technology
　　类型：串行EEPROM
　　存储容量：256 Kbit (32 KByte)
　　接口类型：I2C (Two-wire)
　　工作电压：2.5V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高1 MHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-DIP 或 8-SOIC
　　写保护功能：支持硬件写保护引脚（WP）
　　页面大小：64 字节
　　写入时间：典型值5 ms（页写入）
　　待机电流：典型值1 μA
　　工作电流：典型值3 mA（读取状态）
　　可靠性：写耐久性达1百万次，数据保持时间超过200年

256P30BF具备卓越的电气性能与稳定性，其核心特性之一是宽电压工作范围（2.5V至5.5V），使其能够在多种电源环境下可靠运行，兼容3.3V和5V逻辑系统，适用于不同代际的微控制器和处理器平台。这一特性极大地增强了其在混合信号系统中的适应能力，无需额外电平转换电路即可实现无缝连接。此外，该芯片支持I2C总线的多种速度模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和高速模式（1MHz），显著提升了数据吞吐效率，尤其适合对实时性要求较高的应用场景，如传感器数据记录或频繁配置更新任务。
　　该器件内置64字节的页写缓冲区，允许在单个写周期内批量写入最多64个字节的数据，减少了总线交互次数，提高了写操作效率。同时，每个写操作完成后会自动启动片内定时的写周期（典型持续时间为5ms），在此期间所有新的总线访问将被挂起，确保数据完整性。为了进一步提升数据安全性，256P30BF配备了专用的硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时，允许正常读写操作；当拉高至VCC时，则锁定整个存储空间，禁止任何写入行为，有效防止因软件故障或电源波动导致的非法修改。
　　从可靠性角度看，256P30BF表现出色，具备高达100万次的写入寿命，远超多数同类产品，确保在频繁更新数据的应用中长期稳定运行。其数据保持能力超过200年，在极端环境条件下仍能维持信息完整性，适用于长期部署且不易维护的设备。该芯片还采用了先进的CMOS制造工艺，显著降低功耗，在待机模式下电流消耗仅为1μA左右，非常适合电池供电或能量敏感型系统。此外，它具备良好的抗干扰能力和ESD防护设计，符合工业级电磁兼容标准，可在复杂电磁环境中稳定工作。

256P30BF广泛应用于各类需要非易失性存储功能的电子系统中。在工业控制系统中，常用于保存PLC模块的配置参数、校准数据及运行日志，确保设备重启后能恢复到上次工作状态。在消费类电子产品中，如智能家电、音响设备和数码相机，它用于存储用户偏好设置、音量调节、语言选择等个性化信息，提升用户体验。通信设备如路由器、交换机和光模块也依赖此类EEPROM来保存MAC地址、固件版本号和模块识别信息（如SFP中的DDM功能）。
　　在汽车电子领域，256P30BF可用于车载仪表盘、ECU（电子控制单元）或ADAS系统中，记录车辆配置、里程信息或传感器标定系数，支持宽温工作和高可靠性需求。医疗设备中，该芯片可用于存储患者设置、设备序列号或校准曲线，确保诊断仪器的一致性和准确性。此外，在POS终端、条码扫描器和智能电表等物联网边缘设备中，256P30BF作为关键的数据记录元件，承担着交易记录、计费信息和网络配置的持久化存储任务。
　　由于其支持I2C多设备总线架构，多个256P30BF或其他I2C器件可以共享同一组SCL和SDA线路，通过不同的设备地址进行区分，便于系统扩展。这种灵活性使其成为中小容量数据存储的理想选择，特别是在PCB空间受限但需要高集成度的设计中。结合其DIP和SOIC两种常见封装形式，既支持通孔焊接也适用于表面贴装工艺，适合从原型开发到批量生产的全阶段应用。

AT24C256C-SSHM-T
　　CAT24C256VI-GT3
　　ST24C256-I/P
　　N24C256XB1Z-F