251R15S6R8DV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该芯片具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,适合在高频工作条件下使用。
其设计基于先进的半导体制造工艺,能够提供出色的电气性能和可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。
型号:251R15S6R8DV4E
类型:功率 MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ
总功耗(Ptot):230W
工作温度范围:-55°C to +175°C
输入电容(Ciss):2000pF
输出电容(Coss):60pF
反向传输电容(Crss):15pF
开关时间:开启延迟时间 45ns,上升时间 20ns,关断延迟时间 40ns,下降时间 25ns
251R15S6R8DV4E 具有以下主要特性:
1. 高击穿电压能力,可承受高达 650V 的漏源电压,适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻(150mΩ),减少导通时的功率损耗,提高整体系统效率。
3. 快速开关特性,有助于降低开关损耗并支持高频操作。
4. 强大的过流保护能力和热稳定性,确保长时间稳定运行。
5. 提供优异的动态性能和静态性能,满足不同应用场景的需求。
6. 支持表面贴装和通孔安装,便于设计灵活性和自动化生产。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
251R15S6R8DV4E 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器,包括步进电机和无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 家用电器中的高效功率管理系统。
6. LED 照明驱动器和镇流器电路。
7. 电动工具和汽车电子系统的功率管理部分。
251R15S6R8D, IRF840, STP15NF06