时间：2025/6/22 3:33:10
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251R15S360FV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术设计。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为行业标准的 TO-220，适合表面贴装工艺。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：35nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
总功耗：250W
251R15S360FV4E 的主要特点是其在高压环境下的稳定性与高效性。
1. 高耐压能力使其适用于多种工业应用，尤其是需要稳定电压输出的场景。
2. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力使它能够支持高频操作，从而降低磁性元件的尺寸和成本。
4. 内置的 ESD 保护功能提升了器件的可靠性。
5. 封装的散热性能优越，确保在大电流条件下保持较低的工作温度。
这款芯片通常被用作开关元件或同步整流器的一部分，在以下领域中表现优异：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
3. 各类负载开关和保护电路，如过流保护和短路保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
IRFZ44N, STP15NF06, FQP16N60C
