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251R15S300GV4E 发布时间 时间:2025/4/30 19:56:33 查看 阅读:13

251R15S300GV4E是一款高性能的功率MOSFET器件,属于N沟道增强型场效应晶体管。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为TO-247,适合高电流、高电压环境下的工作需求。
  该器件广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:1500V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):0.1Ω
  总功耗:280W
  结温范围:-55℃至+175℃
  存储温度范围:-55℃至+150℃

特性

251R15S300GV4E采用了先进的半导体制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,在高电流条件下可有效减少功率损耗。
  2. 高开关速度,能够支持高频应用场合,提高系统效率。
  3. 内置静电保护电路,增强器件在恶劣环境中的可靠性。
  4. 耐热性能优越,能够在高温环境下保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际环保法规要求。
  6. 封装坚固耐用,便于散热设计及安装使用。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主功率开关管。
  2. DC-DC转换器中实现高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动电路中提供强大的电流输出能力。
  4. 太阳能逆变器中用于功率转换与控制。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统中发挥关键作用。

替代型号

IRGB14C40L, FGH30N150AM, IXFR44N150T

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251R15S300GV4E参数

  • 产品培训模块RF Capacitor Modeling Software
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 电容30pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.046"(1.17mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-