时间：2025/7/10 13:03:49
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251R14S910JV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
该器件通常用于需要高频切换和低损耗的场景，例如 DC-DC 转换器、LED 驱动器以及电池管理系统等。
型号：251R14S910JV4T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ
总功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
251R14S910JV4T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以显著减少功率损耗。
2. 支持高达 140A 的连续漏极电流，适合高负载需求的场景。
3. 高频开关能力，适用于快速开关应用。
4. 提供卓越的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 小型化的封装设计，便于集成到紧凑型设备中。
6. 内置静电保护功能，增强器件的可靠性。
此外，该芯片还具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于提高整体系统的效率。
251R14S910JV4T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
4. 工业自动化控制中的功率转换模块。
5. 大功率 LED 照明驱动器。
6. 电信和网络设备中的电源解决方案。
该器件凭借其出色的性能和可靠性，成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
251R14S910JW4T, IRF2510, FDP14N60C
