时间：2025/6/12 6:58:56
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251R14S910FV4T 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
型号：251R14S910FV4T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：开启延迟时间 23ns，关断时间 16ns
封装形式：TO-247-3L
251R14S910FV4T 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（1.4mΩ），可以有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力（80A），适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度（总开关时间为 39ns），适合高频电路设计。
4. 内置反向二极管，有助于降低系统复杂度。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性，能够承受较高的温度环境。
6. 封装采用 TO-247-3L，具有优秀的散热性能。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器，特别是大功率场合。
3. 电机驱动电路，用于控制电动机的速度和方向。
4. 电池保护电路中作为负载开关使用。
5. 太阳能逆变器及工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 各类高效率、高性能的电子负载解决方案。
251R14S910FV4P, IRF250N, STP80NF10
