251R14S3R3AV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
型号:251R14S3R3AV4T
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:100A
导通电阻:1.4mΩ
总栅极电荷:45nC
输入电容:2800pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
251R14S3R3AV4T 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (1.4mΩ),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力 (100A),适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性,能够有效降低开关损耗,支持高频操作。
4. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 强大的抗静电能力 (HBM > 2kV),提升了产品的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流管。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
251R14S3R3BV4T, IRFP2907, FDP177N06L