时间：2025/6/27 7:49:20
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251R14S2R1BV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，通常用于高效率电源转换和电机驱动应用中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统性能。
其封装形式和电气性能经过优化，适合各种工业和消费类电子产品中的开关和调节功能。
型号：251R14S2R1BV4T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：140A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：90nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to 175℃
251R14S2R1BV4T 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流承载能力，这使得它在高效功率转换场景中表现优异。
其快速开关特性和较低的栅极电荷 (Qg) 值可以减少开关损耗，并且支持高频操作。
此外，该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
由于采用了坚固的 TO-247-3 封装，因此散热性能出色，适合大功率应用场景。
该芯片广泛应用于直流-直流转换器、开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、电机驱动、电动车辆的逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在电动汽车领域，251R14S2R1BV4T 可以作为主逆变器的核心功率器件，提供高效的电能转换。
同时，它也适用于家用电器如空调、洗衣机等产品的变频驱动部分。
IRFP2907ZPBF, FDP18N60C, STW45N120MD2
