型号：250R180TF
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-25 V
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：-9.4 A @ TC = 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-32 A
　　导通电阻RDS(on) max：18 mΩ @ VGS = -4.5 V
　　导通电阻RDS(on) max：22 mΩ @ VGS = -2.5 V
　　导通电阻RDS(on) typ：15 mΩ @ VGS = -4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.0 V
　　输入电容（Ciss）：760 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：380 pF @ VDS = 15 V
　　反向恢复时间（trr）：26 ns
　　二极管正向电压（VSD）：-1.2 V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

250R180TF采用Vishay专有的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。该器件在VGS = -4.5V条件下，典型RDS(on)仅为15mΩ，最大值为18mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了传导损耗，提升了电源系统的整体效率。其高跨导特性确保了快速的开关响应，减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用如同步降压变换器或负载开关电路。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与可靠性，PowerPAK SO-8封装优化了散热路径，使结到外壳的热阻（RθJC）保持在较低水平，从而允许器件在高负载条件下长时间稳定运行。此外，该封装无铅且符合MSL等级1的防潮要求，增强了在回流焊工艺中的可靠性。
　　250R180TF内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr = 26ns），可有效减少在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提高系统安全性。其栅极耐压能力达到±12V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或专用驱动IC直接接口。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境温度下保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子及便携式设备等多种应用场景。

250R180TF常被用于各类需要高效电源切换的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器，作为上管或下管使用，以替代传统肖特基二极管，大幅提高转换效率并降低发热。在电池供电系统中，它可用于电池反接保护电路或电源路径管理模块，实现对负载的软启动和过流隔离控制。
　　该器件也广泛应用于热插拔电路和高侧/低侧负载开关设计，凭借其低RDS(on)和快速响应能力，能够有效限制浪涌电流并防止系统电压塌陷。在电机驱动电路中，250R180TF可用于H桥结构中的P沟道部分，配合N沟道MOSFET完成方向控制与能耗制动功能。
　　此外，由于其小型化封装和高性能表现，250R180TF适用于空间敏感型设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元和远程I/O系统中的电源管理部分。其高可靠性也使其成为汽车电子辅助电源系统、车载信息娱乐设备电源开关的理想选择。

Si7155DP-T1-GE3,Si7156DP-T1-GE3,IRF7317PBF