250LSQ6800MNB64X119 是一款由 Micron(美光)公司生产的高性能存储器模块,属于LRDIMM(Load-Reduced Dual In-Line Memory Module)类别。该内存模块专为服务器和高性能计算(HPC)系统设计,提供了更高的内存带宽和容量,同时减少了内存控制器的负载。
制造商:Micron
类型:LRDIMM 内存模块
容量:64GB
内存类型:DDR4
频率:3200MT/s
电压:1.2V
引脚数:288-pin
数据宽度:72-bit(含ECC)
错误校正:ECC(Error Correction Code)
工作温度:0°C 至 85°C
250LSQ6800MNB64X119 模块采用先进的 DDR4 技术,提供了更高的数据传输速率和更低的功耗。作为 LRDIMM 模块,它使用内存缓冲器(isolation memory buffer, iMB)来减少内存控制器的电气负载,从而允许每个通道支持更多的内存模块,提高了系统的内存容量和可扩展性。
此外,该模块支持 ECC 功能,可以检测并纠正单比特内存错误,显著提高系统的稳定性和可靠性。这种特性对于服务器和高性能计算系统至关重要,因为它们通常需要长时间运行,并处理大量关键数据。
该模块的 3200MT/s 数据速率确保了快速的数据访问和处理能力,适合需要高吞吐量的应用场景。其 1.2V 的低电压设计不仅降低了功耗,还减少了发热量,有助于提高系统的能效和稳定性。
250LSQ6800MNB64X119 主要用于服务器、数据中心、高性能计算(HPC)、企业级存储系统以及需要大量内存和高可靠性的计算平台。该模块的高性能和可靠性使其成为虚拟化环境、大型数据库、云计算和科学计算等应用场景的理想选择。
M393A4G40CB2-CRC, HMA84GR7CJR4N-WM