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250LSQ6800MNB64X119 发布时间 时间:2025/9/8 1:38:53 查看 阅读:101

250LSQ6800MNB64X119 是一款由 Micron(美光)公司生产的高性能存储器模块,属于LRDIMM(Load-Reduced Dual In-Line Memory Module)类别。该内存模块专为服务器和高性能计算(HPC)系统设计,提供了更高的内存带宽和容量,同时减少了内存控制器的负载。

参数

制造商:Micron
  类型:LRDIMM 内存模块
  容量:64GB
  内存类型:DDR4
  频率:3200MT/s
  电压:1.2V
  引脚数:288-pin
  数据宽度:72-bit(含ECC)
  错误校正:ECC(Error Correction Code)
  工作温度:0°C 至 85°C

特性

250LSQ6800MNB64X119 模块采用先进的 DDR4 技术,提供了更高的数据传输速率和更低的功耗。作为 LRDIMM 模块,它使用内存缓冲器(isolation memory buffer, iMB)来减少内存控制器的电气负载,从而允许每个通道支持更多的内存模块,提高了系统的内存容量和可扩展性。
  此外,该模块支持 ECC 功能,可以检测并纠正单比特内存错误,显著提高系统的稳定性和可靠性。这种特性对于服务器和高性能计算系统至关重要,因为它们通常需要长时间运行,并处理大量关键数据。
  该模块的 3200MT/s 数据速率确保了快速的数据访问和处理能力,适合需要高吞吐量的应用场景。其 1.2V 的低电压设计不仅降低了功耗,还减少了发热量,有助于提高系统的能效和稳定性。

应用

250LSQ6800MNB64X119 主要用于服务器、数据中心、高性能计算(HPC)、企业级存储系统以及需要大量内存和高可靠性的计算平台。该模块的高性能和可靠性使其成为虚拟化环境、大型数据库、云计算和科学计算等应用场景的理想选择。

替代型号

M393A4G40CB2-CRC, HMA84GR7CJR4N-WM

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250LSQ6800MNB64X119参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥486.69000散装
  • 系列LSQ
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容6800 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定250 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命85°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-25°C ~ 85°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流8.9 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流10.502 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距1.110"(28.20mm)
  • 大小 / 尺寸2.520" 直径(64.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)4.803"(122.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳径向,Can - 螺丝端子