类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：250V
　　漏极电流（ID）@25°C：24A
　　漏极电流（ID）@100°C：15A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.11Ω（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=5V：0.15Ω（最大值）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：370pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：48ns
　　最大功耗（PD）：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP, I2PAK

24N25G的核心优势在于其优化的导通电阻与击穿电压之间的平衡，这使得它在250V级别的功率MOSFET中具备较高的能效表现。其典型的RDS(on)在10V栅压下仅为0.11Ω，这意味着在额定工作电流下，器件的导通损耗非常低，从而减少了发热并提高了整体系统效率。这种低RDS(on)特性得益于意法半导体先进的平面栅（Planar Gate）或沟槽工艺技术，确保了载流子迁移率的最大化和电流分布的均匀性。此外，该器件在设计上采用了坚固的晶圆结构，具备较强的抗雪崩能量能力，能够在突发的电压过冲或负载突变情况下保持稳定运行，避免因二次击穿导致的永久性损坏。
　　另一个显著特点是其良好的热性能。24N25G通常采用TO-220或I2PAK这类具有良好散热能力的封装形式，允许通过外接散热片有效降低结到环境的热阻（RthJC）。在实际应用中，即使在较高环境温度下，只要合理设计PCB布局和散热路径，该器件仍可长期稳定工作在接近15A的连续漏极电流水平。此外，其栅极电荷（Qg）相对较低，典型值约为50nC左右，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，适用于由控制器IC直接驱动的场景，降低了驱动电路的复杂度和成本。
　　24N25G还具备出色的开关特性。其输入电容和反馈电容较小，使得在高频开关应用中能够实现较快的上升和下降时间，减少开关过渡过程中的功率损耗。同时，体二极管的反向恢复时间较短（典型48ns），有助于抑制因二极管反向恢复引起的电压振铃和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。此外，该器件符合RoHS和无卤素要求，满足现代电子产品对环保法规的严格标准，适合出口型产品使用。
　　综合来看，24N25G不仅在电气性能上表现出色，还在可靠性、热管理和环保方面进行了全面优化，是一款适用于多种中高功率应用场景的成熟且可靠的功率MOSFET解决方案。

24N25G广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合工作电压在100V至250V范围内的离线式电源设计。在AC-DC开关电源中，它常被用作主开关管，配合PWM控制器实现反激（Flyback）、正激（Forward）或半桥拓扑结构的能量转换。由于其250V的耐压等级，能够承受整流滤波后的峰值电压（例如220V交流输入经桥式整流后约310V直流），并留有适当的安全裕量，因此在通用输入范围（85V~265V AC）的电源适配器、充电器和小型开关电源模块中得到广泛应用。
　　在DC-DC变换器领域，24N25G可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中作为功率开关元件，特别是在输入电压较高的工业电源系统中表现优异。此外，在电机驱动应用中，该器件可作为H桥电路中的开关元件，用于控制中小功率直流电机或步进电机的启停和方向切换。其快速开关能力和低导通电阻有助于提高驱动效率并减少电机控制过程中的能量损耗。
　　其他典型应用还包括LED恒流驱动电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电焊机电源模块以及各种工业控制设备中的功率开关环节。由于其具备较高的可靠性和稳定性，24N25G也常用于对长期运行稳定性要求较高的工业自动化设备和通信电源系统中。总之，凡是需要高效、可靠地控制中等功率直流或脉冲电流的场合，24N25G都是一种值得信赖的选择。

STP24NM50N, STP20NM50FD, FQP24N25, IRFBC30, 2SK2990