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23LCV1024-I/SN 发布时间 时间:2023/6/21 16:24:17 查看 阅读:676

描述

23LCV1024-I/SN是一款1MbSPI串行串行内存,具有备用电池和SDI接口。存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线进行访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。对设备的访问通过芯片选择(CS)输入进行控制。此外,如果应用需要更快的数据速率,则支持SDI(串行双接口)。SRAM可以通过Vbat引脚进行电池备份,基本上使SRAM非易失性。该器件还支持对阵列的无限读取和写入周期。

产品概述

产品型号23LCV1024-I/SN
制造商微芯科技
分类集成电路(IC),记忆力
描述IC 静态存储器 1MB 螺旋/双通道 I/O 8SOIC
打包
工作温度-40°C~85°C
安装类型表面贴装
包装/箱8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)
供应商设备包8-固态
基本产品编号23LCV1024

产品图片

23LCV1024-ISN

23LCV1024-I/SN

规格参数

产品状态在售
内存类型挥发性的
内存格式静态内存
科技静态内存-同步
内存大小1Mb(128Kx8)
内存接口SPI-双输入/输出
时钟频率20兆赫
电压-电源2.5V~5.5V
案例/包装断续器
引脚数8
访问时间25纳秒
地址总线宽度24字节
密度1毫巴
频率20兆赫
接口断续器
最大频率20兆赫
最高工作温度85 °C
最大电源电压5.5V
内存大小128千字节
内存类型非易失性、内存、静态存储器
最低工作温度-40°C
最小电源电压2.5V
标称电源电流10毫安
端口数1
同步/异步同步
字大小8字节
高度1.25毫米
长度4.9毫米
宽度3.9毫米

环境与出口分类

属性
描述
无铅无铅
辐射硬化
REACH SVHC无SVHC

特点

  • SPI兼容型总线接口-20MHz时钟速率,SPI/SDI模式

  • 低功耗CMOS技术

  • 3mA@3.6V,20MHz读取电流

  • 4μA@+85°C最大待机电流

  • 无限制读写周期

  • 零写入时间

  • 32字节页面

  • 通过Vbat引脚支持电池备份SRAM,自动切换到Vbat

  • 顺序模式读写

  • 高可靠性

应用领域

  • 通信与网络

引脚图

CAD模型

23LCV1024-ISN符号

23LCV1024-I/SN符号

23LCV1024-ISN焊垫

23LCV1024-I/SN焊垫

23LCV1024-ISN 3D模型

23LCV1024-I/SN 3D模型

封装

23LCV1024-ISN封装

23LCV1024-I/SN封装

替代型号

型号
制造商
品名
描述
23LCV1024-I/P微芯科技
RAM芯片芯片,存储器,SRAM,串行口,1MB,2.5-5.5V,8PDIP
23LC1024T-I/SN微芯科技
存储芯片SRAM,1Mbit,128Kx8位,2.5V至5.5V,SOIC,8引脚
23LCV1024T-I/SN微芯科技
存储芯片3.3V/5V 1M-Bit 128K x 8 25ns 8Pin SOIC N T/R

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23LCV1024-I/SN参数

  • 制造商Microchip