型号：23FGEM-SM1-GAN-T-TF
　　制造商：GaN Systems
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：氮化镓（GaN）
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：40 A
　　脉冲漏极电流（ID, pulse）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 15 mΩ，最大值 18 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值 1.5 V，范围 1.3 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 2700 pF
　　输出电容（Coss）：约 650 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：接近于零
　　最大栅源电压（VGS max）：+7 V / -4 V
　　功耗（PD）：30 W
　　工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：Surface Mount (Land Grid Array 或类似)
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：根据封装可能为 8 引脚或更多
　　热阻结到外壳（RθJC）：约 0.5°C/W
　　开关速度：纳秒级上升/下降时间
　　是否符合 RoHS：是

23FGEM-SM1-GAN-T-TF 采用了 GaN Systems 的专利环形栅极增强型 HEMT（High Electron Mobility Transistor）结构，这种设计显著提升了器件的动态性能与可靠性。其核心优势在于极低的 RDS(on)，仅为 15 mΩ 典型值，在相同芯片尺寸下远优于传统硅基 MOSFET，从而大幅降低导通损耗，特别适合大电流应用场景。器件具备极快的开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），可实现 MHz 级别的开关频率操作，有效减小磁性元件体积，提高电源功率密度。
　　该 FET 属于增强型（E-mode）器件，即在零栅极偏压下处于关闭状态，极大简化了驱动电路设计，并避免了复杂的负压关断需求，提升了系统的安全性和可集成性。其栅极驱动电压推荐为 +5V 开通，+0V 关断，兼容标准的 5V 逻辑电平驱动器，降低了对专用高压驱动 IC 的依赖。
　　由于采用氮化镓材料，该器件拥有出色的耐高温能力，可在高达 150°C 的结温下稳定运行。同时，其反向恢复电荷几乎为零，消除了体二极管反向恢复带来的开关损耗和电磁干扰问题，这对于硬开关和同步整流应用尤为重要。此外，器件封装优化了寄生电感，减少了开关过程中的电压过冲和振荡风险，增强了系统稳定性。
　　GaN Systems 还针对该系列器件提供了详细的热仿真模型和 SPICE 模型，便于工程师进行精确的电路仿真与热管理设计。器件通过了 AEC-Q101 可靠性测试，适用于汽车级应用环境。综合来看，23FGEM-SM1-GAN-T-TF 在效率、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高功率密度电源系统的理想选择之一。

该器件广泛应用于需要高效、高频和小型化设计的电力转换系统中。典型应用包括用于数据中心和云计算设备的高密度 DC-DC 转换器，例如 48V 至 12V 中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC），在此类应用中，23FGEM-SM1-GAN-T-TF 可显著提升转换效率并缩小变压器和电感体积。
　　在消费类电子产品方面，它可用于笔记本电脑、游戏主机等设备的适配器设计，支持 USB PD 快充协议下的高功率 AC-DC 电源，实现更轻薄的充电器外形。
　　在新能源领域，该器件适用于车载 OBC（车载充电机）中的 PFC（功率因数校正）级与 DC-DC 级，以及太阳能微型逆变器中的全桥或半桥拓扑结构，帮助提升能量转化效率并延长电池续航能力。
　　工业电源系统如电信整流器、UPS 不间断电源和焊接设备也大量采用此类高性能 GaN FET，以满足高可靠性和高能效的要求。此外，该器件还可用于激光驱动器、射频电源和无线充电系统等特殊领域，发挥其快速开关和低损耗的优势。
　　由于其表面贴装封装形式，23FGEM-SM1-GAN-T-TF 非常适合自动化 SMT 生产流程，有利于大批量制造和成本控制。结合配套的驱动IC和保护电路，能够构建出高度集成、高效率的数字电源模块。

GS66508B
　　GS-063B-SMRP
　　EPC2218
　　LMG5200