时间：2025/4/29 13:23:19
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23550MA1IFDBG 是一款高效能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，通常用于高频开关应用及负载切换场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：开通延迟时间 9ns，关断下降时间 18ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
23550MA1IFDBG 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.5mΩ，这使其非常适合大电流应用。此外，其快速开关能力和低栅极电荷也进一步提升了效率。
由于其出色的热稳定性和高电流处理能力，这款 MOSFET 在高功率密度设计中表现出色。同时，它具有较低的反向恢复电荷 (Qrr)，减少了开关损耗。
此器件还具备较高的雪崩击穿能量吸收能力，增强了在恶劣环境下的可靠性。
该 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电动工具和家用电器中的电机控制
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率级
5. 高效同步整流电路
其优异的性能使它成为需要高效率和高可靠性的理想选择。
23550MA1IFDGBR, IRF2355M
