类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：70 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：32 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 10 V：6.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 4.5 V：9.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：2300 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

21NM70的核心优势在于其出色的导通性能与开关特性的综合优化。其低导通电阻RDS(on)在VGS = 10 V时仅为6.5 mΩ，在同类70V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流输出的同步降压转换器或负载开关应用。当驱动电压为常见的4.5 V逻辑电平（如来自控制器或门驱动IC）时，其RDS(on)仍可维持在9.5 mΩ以下，保证了在低压驱动环境下的高效运行。
　　该器件采用了Vishay成熟的硅基工艺和PowerPAK封装技术，实现了优异的热性能。PowerPAK SO-8L封装去除了传统引线框架的热瓶颈，通过底部暴露的焊盘直接将热量传导至PCB，极大降低了从结到PCB的热阻（ΘJC），从而提升了功率处理能力。在高密度PCB布局中，这种封装有助于减少热点形成，提高系统长期运行的稳定性。
　　在开关特性方面，21NM70具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，降低开关过程中的能量损耗。这对于工作在数百kHz甚至MHz级别的高频DC-DC变换器尤为重要，可以有效提升电源效率并减小外围滤波元件的尺寸。同时，其体二极管具备较快的反向恢复时间（trr = 28 ns），减少了在硬开关拓扑中因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰问题。
　　此外，21NM70具备较强的鲁棒性，包括150°C的最大结温额定值和±20 V的栅源电压耐受能力，使其在瞬态电压波动或启动冲击条件下仍能安全工作。内置的静电放电（ESD）保护也增强了器件在装配和使用过程中的可靠性。总体而言，21NM70是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的功率MOSFET，适用于现代高效能、小型化电源系统的设计需求。

21NM70主要应用于各类中等电压、大电流的电源转换与控制场合。典型应用包括同步降压（Buck）转换器中的上下桥臂开关，特别是在服务器、笔记本电脑、网络通信设备的多相VRM（电压调节模块）中，其低RDS(on)和优良热性能可显著提升转换效率并减少散热设计复杂度。在便携式电子设备如平板电脑、移动电源和无人机中，它常用于电池充放电管理电路和负载开关，实现对不同功能模块的高效上电控制与节能管理。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，尤其是在无刷直流电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动拓扑中作为功率开关元件，其快速开关能力和低导通损耗有助于提升电机控制精度和能效。在工业电源、LED驱动电源和DC-DC模块电源中，21NM70可用于次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以降低整流损耗，提高整体电源效率。
　　由于其表面贴装封装和小型化设计，21NM70特别适合自动化贴片生产线，广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子中的辅助电源系统。其高可靠性和宽温度范围也使其能够在较为严苛的工作环境中稳定运行，是现代高密度、高效率电源设计中的优选功率开关器件。

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　　 "Si7850DP",
　　 "IRLHS6296",
　　 "AOZ5231EQI",
　　 "FDMS7680S",
　　 "CSD17577Q3"
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