类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：55V
　　最大漏极电流（ID）：21A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.033Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

21N55G MOSFET的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有较强的电流承载能力和良好的热稳定性，能够适应高功率应用中的严苛环境条件。21N55G 还具备快速开关能力，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　该器件的封装形式通常为TO-220或类似的功率封装，便于散热并确保在高负载下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　从材料和制造工艺来看，21N55G 采用了先进的硅基技术，确保了器件在高温和高压条件下的稳定性。此外，该器件的设计考虑了抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压情况下保持一定的鲁棒性。

21N55G MOSFET常用于电源管理模块，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电器等。在工业控制领域，该器件可用于驱动电机、继电器和各种功率负载。消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等设备，21N55G 可作为主控开关或负载调节器使用。
　　在LED照明系统中，21N55G 适用于恒流驱动电路，确保灯光输出的稳定性和效率。此外，该器件也适用于电源适配器、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等新能源应用领域。由于其良好的高频响应，21N55G 也适合用于高频谐振变换器和无线充电系统。

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　　 "IRF540N",
　　 "FDP21N55G",
　　 "STP21N55M5",
　　 "SiHF5402-E3"
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