型号：21N50ES
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：21A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：84A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（max, @VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

21N50ES在结构设计上采用了先进的平面型场效应晶体管工艺，通过优化元胞密度与漂移区掺杂分布，实现了在500V耐压等级下的低导通电阻特性，典型值可达0.15Ω以下，最大不超过0.18Ω（测试条件为VGS=10V）。这一低RDS(on)特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，对于提高开关电源的整体效率至关重要，尤其是在连续导通模式（CCM）的PFC电路或硬开关反激拓扑中表现突出。同时，该器件的栅极电荷（Qg）被控制在相对合理的水平，典型值约为50nC（@VGS=10V），这有助于减少驱动电路的能量消耗，并允许使用较小的驱动芯片或简化栅极驱动网络设计，从而降低系统成本并提升响应速度。
　　在高频开关性能方面，21N50ES表现出优异的动态特性。其输入电容和输出电容分别维持在1100pF和260pF左右（测试频率1MHz，VDS=25V），使得器件在几十kHz至数百kHz的工作频率下仍能保持较低的开关损耗。此外，体二极管的反向恢复时间（trr）仅为30ns，说明其具备较快的关断能力，能够有效抑制反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并防止因换流过程引发的电压振荡问题，这对提升系统稳定性尤为关键。
　　热管理方面，21N50ES采用TO-220封装，具有较大的金属背板面积，便于安装散热片以增强散热效果。其最大功耗可达150W（在理想散热条件下），热阻RθJC（结到壳）约为0.8℃/W，确保在高负载工况下仍能维持安全的工作温度。器件还具备良好的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定能量而不发生永久性损坏，提升了系统应对异常工况的鲁棒性。综合来看，21N50ES凭借其高耐压、大电流、低损耗和良好可靠性的特点，成为中等功率电源应用中的优选器件之一。

21N50ES主要应用于各类中等功率级别的开关电源系统中，特别是在需要高效率、小体积和高可靠性的场合。它常用于AC-DC电源适配器，如笔记本电脑、显示器、路由器等消费类电子产品的外置电源，支持从通用交流输入（85V~265V AC）转换为稳定的直流输出，适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等多种拓扑结构。在LED照明驱动电源领域，21N50ES可用于隔离型恒流驱动方案，满足商业照明和户外灯具对长寿命和高能效的要求。
　　此外，该器件也广泛应用于手机、平板等设备的快速充电器设计中，配合PWM控制器实现高频率开关操作，以缩小变压器和滤波元件的体积，提升功率密度。在工业控制领域，21N50ES可用于小型逆变器、电机驱动电源模块及DC-DC变换器中，作为主开关管承担能量传输任务。其高耐压特性使其在电网波动较大或存在浪涌风险的环境中依然能够稳定工作。
　　在通信电源系统中，21N50ES可用于构建辅助电源或偏置电源，为控制芯片、传感器和其他低压电路供电。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可用于环境较为恶劣的户外设备供电单元。总之，凡是涉及500V级电压切换、功率范围在100W至300W之间的应用场景，21N50ES均是一个成熟且经济的选择。

20N50ES
　　22N50
　　24N50
　　FQA20N50
　　STP20NM50FD