电容值：330pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　电介质击穿电压：150V

21CH331J50AT 电容器采用 X7R 介质材料，具有出色的温度稳定性，在 -55°C 至 +125°C 的工作温度范围内，电容变化率控制在 ±15% 以内，这使其适用于温度波动较大的工业和汽车环境。
　　其 50V 的额定电压足以满足大多数中低压电路的需求，而 1210 封装形式则提供了较好的机械强度和焊接可靠性，同时兼顾了安装空间的优化。该电容器的容差为 ±5%，这意味着其实际电容值在标称值附近波动较小，适用于对精度要求较高的滤波和振荡电路。
　　此外，该电容器具有较高的绝缘电阻（最小 10,000 MΩ），确保在高阻抗电路中具有良好的漏电流控制能力。其电介质击穿电压高达 150V，提供了足够的安全裕量，防止在异常电压条件下发生击穿或短路。
　　作为 SMD 元件，21CH331J50AT 支持自动化贴片工艺，提高了生产效率并降低了组装成本。其无极性设计也使得在 PCB 布局中更加灵活方便。

21CH331J50AT 主要应用于以下领域：
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器常用于电源去耦、信号滤波和 RF 匹配网络，以提高系统的稳定性和抗干扰能力。
　　在工业控制系统中，该电容器可用于 PLC、传感器模块和工业计算机的电源管理电路中，帮助滤除高频噪声并稳定电压。
　　在汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）和车身控制模块，21CH331J50AT 可用于滤波和去耦，确保电子系统在高温和振动环境下的可靠运行。
　　此外，该电容器也广泛用于通信设备、医疗电子仪器以及电源管理模块中，为电路提供稳定的电容支持。

CL21331JB50AT, C1210C331J5GAC, VJ1210Y331JXFJ