电容值：1000 pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2 mm x 2.5 mm）
　　端子类型：表面贴装（SMD）
　　绝缘电阻：10000 MΩ min
　　介电材料：陶瓷

21CH102J50AT 陶瓷电容器具有多项优良特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该电容器采用 C0G（NP0）温度系数，具有极低的温度漂移（通常为 ±30 ppm/°C），保证了在不同温度条件下电容值的稳定性。这使其特别适用于高精度和高稳定性的电路设计，如振荡器、滤波器和定时电路。
　　其次，该电容器的额定电压为 50V，能够承受较高的电压应力，确保在高压环境下工作的可靠性。此外，其绝缘电阻高达 10000 MΩ，表明其漏电流极小，适合用于高阻抗电路中。
　　在机械性能方面，21CH102J50AT 采用表面贴装（SMD）封装，尺寸为 1210（3.2 mm x 2.5 mm），适合自动化贴片工艺，提高了生产效率并减少了 PCB 空间占用。同时，该电容器的工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，适应极端环境条件，如工业控制和汽车电子应用中的高温或低温环境。
　　此外，该器件采用陶瓷材料作为介电质，具有优异的高频性能和低损耗特性，适用于 RF（射频）和高速数字电路中的去耦和滤波应用。陶瓷电容器的无极性设计也简化了电路布局和安装过程。

21CH102J50AT 陶瓷电容器广泛应用于多个电子领域。在通信设备中，它常用于射频滤波器、振荡器和耦合电路中，确保信号传输的稳定性。在工业控制系统中，它被用于电源去耦、滤波和高精度模拟电路中，以提高系统的可靠性和抗干扰能力。
　　在消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该电容器用于电源管理电路和高速数据传输接口的去耦和滤波，确保设备的稳定运行。此外，它也广泛应用于汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和安全控制系统，满足汽车环境下的高温和振动要求。
　　在医疗设备中，21CH102J50AT 的高稳定性和低漏电流特性使其成为精密测量仪器和诊断设备中的理想选择。同时，在航空航天和军事电子设备中，其宽工作温度范围和高可靠性也使其成为关键电路中的重要组成部分。

Vishay 21CH102J50AW, Vishay 21CH102K50AT, Kemet C0805C102J5GAC