时间：2025/5/22 20:32:10
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211CC2S2460P 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，专为高频通信和无线应用设计。该晶体管采用了先进的半导体工艺制造，能够在高频率下提供卓越的功率增益和效率。其广泛应用于射频放大器、无线电通信设备以及雷达系统等场景。
该器件具有出色的线性度和稳定性，能够满足现代通信系统对信号质量和可靠性的严格要求。
型号：211CC2S2460P
工作频率范围：50 MHz - 2.5 GHz
最大输出功率：60 W
增益：12 dB（典型值）
电源电压：28 V
电流：7 A（最大值）
封装形式：TO-270
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
特征阻抗：50 Ω
211CC2S2460P 晶体管的主要特点是其高功率处理能力和在宽频带范围内的高效性能。它采用专门设计的异质结双极型晶体管 (HBT) 技术，确保了稳定的输出和低失真表现。
此外，该器件具备良好的热管理能力，可有效降低因高功率运行导致的过热风险。同时，它的宽带匹配网络简化了系统设计过程，减少了外部组件的需求。
在实际应用中，211CC2S2460P 的线性度表现优异，适合用于需要高保真信号传输的场景，例如蜂窝基站、卫星通信及军事雷达等环境。
由于其高效的能量转换能力，这款晶体管还帮助降低了整体系统的功耗，提升了能源利用效率。
211CC2S2460P 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器设计
2. 蜂窝通信基站
3. 微波链路设备
4. 雷达系统
5. 点对点无线通信
6. 广播发射机
7. 军事通信设备
这款器件凭借其高功率密度和可靠性，成为众多射频系统的核心元件之一。
211CC2S2460M, 211CC2S2460K
