时间：2025/5/27 9:40:34
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211CC2S1460P是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低能耗。
这款器件采用了先进的半导体制造工艺，具备出色的热性能和电气性能，能够在严苛的工作条件下稳定运行211CC2S1460P
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：140A
栅极电压(Vgs(th))：2.5V~4.5V
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
总功耗(Ptot)：200W
封装形式：D2PAK
工作温度范围：-55℃~175℃
211CC2S1460P具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，适用于高电流应用环境。
2. 高速开关能力，支持高频电路设计，有助于缩小整体解决方案的尺寸。
3. 强大的过流能力和耐热性能，保证了在极端条件下的可靠性。
4. 支持宽范围的栅极驱动电压，提升了设计灵活性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
211CC2S1460P广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动及控制，包括伺服电机和步进电机。
3. 汽车电子中的负载切换和DC-DC转换器。
4. 大功率LED驱动电路以及太阳能逆变器。
5. 各种需要大电流处理的应用场景。
IRF2807Z,
STP140NF06,
FDP150AN6,
IXFN140N06T2
