类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：1K x 4 位
　　电源电压：5V（典型）
　　访问时间：约 55 ns（不同厂商可能略有差异）
　　封装形式：24引脚 DIP 或 SOP
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）或工业级（-40°C 至 85°C）
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　功耗：典型值约 350 mW

2114T SRAM 芯片具有高速存取能力，访问时间通常在 55 纳秒以内，适用于需要快速数据访问的系统。其静态特性意味着在供电状态下数据不会丢失，无需刷新操作，降低了系统设计复杂度。
　　该芯片采用双端口设计，即地址线和数据线分离，支持独立的地址解码和数据读写操作，提高了存储系统的灵活性。此外，2114T 的 TTL 电平兼容性使其能够轻松集成到多种数字系统中，无需额外的电平转换电路。
　　其 24 引脚封装设计提供了标准的引脚排列，便于 PCB 布局和更换。2114T 的低功耗特性在当时也具有优势，使其适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携设备。
　　该芯片的工业级版本可在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业控制、通信设备等恶劣环境下的应用。

2114T 被广泛应用于早期的微型计算机、工业控制系统、通信设备、测试仪器以及各种嵌入式系统中。由于其高速和静态特性，常用于需要快速数据访问和临时数据存储的场景，例如缓存、寄存器文件、显示缓冲等。
　　在工业控制中，2114T 常用于存储程序变量、状态信息或实时数据。在通信系统中，可用于数据缓冲和协议处理。在测试仪器中，该芯片可用于存储测量结果或配置参数。
　　尽管现代系统已广泛采用更高密度和更低功耗的存储器，但 2114T 仍被用于一些经典复刻设备、教育实验平台以及老式工业设备的维修和替换。

HM6116, CY62256, IDT7114S, AS6C6214-55PCN-B