2114S 时间：2025/7/23 15:14:36 阅读：4

2114S 是一款经典的静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）芯片，由英特尔（Intel）公司生产。这款芯片在20世纪70年代和80年代广泛应用于早期的计算机系统、嵌入式设备以及各种数字电路中。它具有1K位（1024位）的存储容量，组织形式为1024 x 1位，即每个地址存储1位数据。

参数

容量：1K位（1024 x 1）
　　电源电压：+5V
　　访问时间：约55ns（根据不同版本有所变化）
　　封装形式：18引脚双列直插封装（DIP）
　　工作温度范围：商业级（0°C至70°C）
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　地址输入线：10条（A0-A9）
　　数据输入/输出线：1条（I/O）
　　控制信号：片选（CS）、写使能（WE）

特性

2114S SRAM芯片以其稳定性和高速性能著称，适合需要快速数据访问的应用场景。
　　该芯片采用NMOS技术制造，具备较高的集成度和较低的功耗（相对于当时的其他存储技术）。
　　其TTL兼容的输入输出电平使得它能够方便地与多种数字电路接口。
　　由于其1024 x 1的存储组织方式，多个2114S芯片可以并行使用以构建更大位宽的存储系统（如8位或16位宽度）。
　　芯片的访问时间（通常在55ns左右）在当时属于高速级别，适合用于缓存或高速缓冲存储器。
　　此外，2114S具有简单的控制信号接口，包括片选（CS）和写使能（WE），便于系统设计者集成到各种系统架构中。