20WZ11 是一款常见的功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等高功率场景。20WZ11采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于工业级和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):11A(@TC=100℃)
脉冲漏极电流(IDM):44A
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(最大值)
功率耗散(PD):150W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
20WZ11具有多项优异的电气和物理特性。其高耐压能力(600V VDS)使其适用于多种高电压应用,如AC-DC电源转换器和高压电机控制电路。低导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下功率损耗较低,提高了系统效率并减少了散热需求。此外,该器件具备快速开关能力,适用于高频开关应用,有助于减小电源电路的体积和重量。
20WZ11的TO-220封装结构提供了良好的热传导性能,便于通过散热片或PCB布局进行有效散热。其高雪崩能量耐受能力增强了在负载突变或电感反冲环境下的可靠性。同时,该器件具备良好的抗短路能力和热稳定性,能够在极端工作条件下维持稳定运行。
此外,20WZ11的栅极驱动特性较为友好,标准的10V栅极驱动电压即可实现完全导通,兼容多种常见的MOSFET驱动IC。这使得它在设计上更加灵活,适用于多种拓扑结构,如Buck、Boost和Flyback等。
20WZ11主要应用于各类高功率开关电源系统,包括AC-DC适配器、服务器电源、LED驱动电源、DC-DC转换器以及电池充电器等。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于电机控制、电焊机、UPS不间断电源和工业自动化设备中的功率开关电路。此外,由于其良好的热稳定性和抗短路能力,该器件也被广泛用于车载电子系统、太阳能逆变器和家电控制模块中。
20N60, FQA11N60C, 11N60C, 15WZ11