类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　反向重复峰值电压（VRRM）：20 V
　　最大直流阻断电压（VR）：20 V
　　正向连续电流（IF）：1.5 A
　　每芯片最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1.5 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A
　　正向压降（VF）：典型值 0.31 V（在 1 A, TJ = 25°C），最大值 0.45 V（在 1.5 A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大 0.2 mA（在 20 V, TJ = 25°C）；高温下不超过 10 mA（TJ = 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约 83.3 °C/W
　　热阻（RθJC）：约 25 °C/W
　　安装类型：表面贴装

20SVP22M的核心特性之一是其低正向压降性能，这使其在低电压、大电流的应用中表现出色。在1A电流下，典型正向压降仅为0.31V，最大不超过0.45V（在1.5A时），显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提高电源转换效率。这种低VF特性特别适用于电池供电设备和高效DC-DC转换器，能够延长续航时间并减少散热需求。该器件采用肖特基势垒技术，依赖金属-半导体结而非P-N结，因此不具备少数载流子存储效应，具有极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr接近于零）。这一特点使其非常适合高频开关应用，如开关电源中的续流与箝位电路，可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　另一个关键特性是其双二极管结构设计，允许灵活应用于多种拓扑结构，例如中心抽头整流、双路同步整流或独立通道保护电路。每个二极管可承受最高1.5A的连续正向电流，并能承受高达30A的非重复浪涌电流，具备较强的瞬态负载能力。该器件的反向重复峰值电压为20V，适用于低电压输出电源系统，如5V、3.3V或更低电压轨的整流与隔离。其反向漏电流在常温下低于0.2mA，在高温125°C时仍控制在10mA以内，表现出良好的温度稳定性。封装方面，SMA（DO-214AC）是一种紧凑型表面贴装封装，具有良好的热传导性能和机械强度，适合回流焊工艺，便于大规模自动化生产。此外，该器件符合JESD-30和JESD-201等标准，具备优良的潮湿敏感度等级（MSL: 1级），可在恶劣环境中长期可靠运行。

20SVP22M广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于手机充电器、平板电脑电源模块、USB供电接口及便携式设备的DC-DC转换电路中，作为同步整流或续流二极管使用，以提升能量利用率并减少发热。在计算机领域，该器件可用于主板上的多相供电系统、CPU/GPU供电模块中的辅助整流路径，以及笔记本电脑适配器内部的次级侧整流。通信设备如路由器、交换机和基站电源单元也采用此类肖特基二极管来实现高效的低压直流变换。工业控制系统中，20SVP22M可用于PLC电源、传感器供电模块和电机驱动器中的飞轮二极管，提供快速响应和可靠的电流续流路径。此外，在LED照明电源、太阳能充电控制器和小型逆变器中，该器件凭借其低VF和高效率优势，有助于提升整体光效和能源转化率。由于其表面贴装封装形式，20SVP22M还适用于高密度PCB布局设计，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。

MBR240T3G
　　RB162M-40
　　SS24-SMC
　　B340LB-13-F
　　SMS24T-LC1