最大重复峰值反向电压（VRRM）：3200 V
　　最大RMS电压（VRMS）：2260 V
　　最大直流阻断电压（VDC）：3200 V
　　平均整流输出电流（IO）：20 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180 A（半正弦波，单周期）
　　最大正向压降（VF）：2.6 V @ 20 A, TJ = 125°C
　　反向恢复时间（trr）：75 ns
　　工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：1.0 °C/W
　　封装类型：TO-247AC 或等效螺钉式功率模块
　　安装方式：底板安装，带绝缘垫片或直接接触散热器

20SUR-32S的核心特性之一是其高达3200V的最大重复峰值反向电压（VRRM），使其适用于高压直流母线系统中的整流任务，例如在高压变频器、感应加热装置以及高压电源供应器中发挥关键作用。这一高耐压能力确保了器件在极端电压波动下仍能保持稳定工作，避免击穿或漏电流过大导致的失效。
　　另一个显著特点是其20A的平均整流输出电流能力，表明它可承载较大持续负载电流，适合中高功率等级的应用场景。配合180A的峰值非重复浪涌电流能力，该器件可在启动瞬间或故障情况下承受短时大电流冲击，提升了系统的鲁棒性和安全性。
　　该器件具备超快恢复特性，典型反向恢复时间（trr）仅为75ns，这意味着在高频开关过程中能迅速从导通状态切换到截止状态，极大减少了反向恢复电荷（Qrr）带来的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这种快速响应能力特别适用于PWM控制的开关电源、逆变电路及高频整流拓扑结构，有助于提升系统效率并降低温升。
　　正向压降（VF）在20A电流和125°C结温条件下为2.6V，属于同类高压二极管中较低水平，这直接降低了导通损耗，提高了能效表现。同时，其热阻RθJC为1.0°C/W，说明芯片到外壳的热传导效率较高，有利于热量快速传递至散热器，从而维持合理的结温，延长器件寿命。
　　20SUR-32S的工作结温范围宽达-40°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行需求，无论是寒冷地区还是高温工业现场都能可靠工作。其封装符合工业标准TO-247AC，便于集成于各种功率模块或独立使用，并支持多种安装方式，包括带云母绝缘垫片或陶瓷绝缘片的底板固定方案，兼顾电气隔离与散热性能。

20SUR-32S广泛应用于各类高电压、大电流的电力电子系统中，尤其适合作为高压整流桥臂中的核心元件。典型应用包括工业级不间断电源（UPS）系统，在其中承担交流输入侧的整流功能，将市电转换为稳定的直流电压供后续逆变器使用；同时也能在电池充电回路中防止反向放电，保障系统安全。
　　在电焊机设备中，20SUR-32S用于主整流电路，将初级交流电高效转换为平滑直流电，供给IGBT或SCR组成的逆变单元进行高频变换，实现精确的焊接电流控制。其快速恢复特性和高浪涌能力有效应对焊接过程中的频繁启停和负载突变。
　　该器件也常见于高压直流电源、X射线发生器、激光电源等特种电源设备中，用于构建多级倍压或全波整流电路，满足高输出电压和高稳定性的要求。在风力发电和太阳能逆变系统中，20SUR-32S可用于辅助电源或制动单元的整流部分，协助能量回馈与系统保护。
　　此外，在电机驱动器、变频调速系统和感应加热装置中，该二极管常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或钳位二极管（Clamping Diode），以吸收感性负载产生的反电动势，防止电压尖峰损坏主开关器件如IGBT或MOSFET。其快速恢复能力和高耐压特性在此类应用中至关重要。
　　由于其坚固的封装和出色的热管理性能，20SUR-32S也被用于铁路牵引系统、电动汽车充电桩和大型自动化生产线中的电源模块，提供可靠的电力转换支持。

DSEI20-06A
　　DD200SA32K
　　SKN20/32