类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：68 V
　　平均整流电流（Io）：20 A（每芯片）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：80 A
　　最大正向压降（VFM）：0.54 V（典型值，@ IF = 20 A, TJ = 125 °C）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0 mA（@ VR = 68 V, TJ = 125 °C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻结到管壳（RθJC）：1.5 °C/W（典型）
　　热阻结到环境（RθJA）：30 °C/W（典型，PCB板上）
　　封装：PowerPAK SC-70（SMA）带EPad
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　湿度敏感等级（MSL）：1（<=30°C/85%RH）

20SEQP68M的核心优势在于其出色的电学性能与紧凑封装之间的平衡。该器件采用了先进的平面肖特基技术，确保了极低的正向导通压降，在高负载条件下显著降低了功率损耗，从而提升了电源系统的整体能效。在20A的工作电流下，典型正向压降仅为0.54V（Tj=125°C），这远低于传统PN结二极管，有效减少了发热问题。同时，由于是肖特基器件，它具备非常快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗，特别适用于现代高频DC-DC变换器和同步整流拓扑中的续流路径。
　　该器件采用双共阴极结构设计，使得两个二极管共享同一个阴极连接，这种配置非常适合并联使用于单输出整流电路或多相供电系统中，简化了PCB布局并提高了电流分配的一致性。其PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧，还带有底部散热焊盘（Exposed Pad），可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层，极大增强了热稳定性与长期可靠性。热阻结到壳仅为1.5°C/W，表明其具有优异的热传导能力，可在有限空间内承受较大持续电流。
　　此外，20SEQP68M符合AEC-Q101车规级认证标准，意味着它经过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等，适用于汽车电子系统如车载充电器、DC-DC转换模块和电机驱动控制单元。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能在极端环境下保持稳定性能。器件不含铅和卤素，满足环保要求，并支持自动化表面贴装工艺，便于大规模生产。综合来看，20SEQP68M是一款高性能、高可靠性的功率整流解决方案，尤其适合追求小型化与高效率的应用场景。

20SEQP68M广泛应用于多种需要高效低压整流的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在次级侧整流环节中作为同步整流的替代方案或辅助续流元件；在大电流DC-DC降压或升压转换器中，用于多相交错并联结构以分担电流负荷，提升转换效率并减少热集中问题。其低Vf特性使其成为笔记本电脑、服务器主板、FPGA和GPU供电模块中的理想选择。
　　在便携式消费类电子产品中，如移动电源、平板电脑和USB-PD快充适配器，20SEQP68M可用于电池充放电路径中的防倒灌和能量回馈回路。由于其快速响应能力和低功耗特征，也能胜任逆变器和UPS不间断电源中的箝位与保护功能，防止感性负载引起的电压尖峰损坏主控芯片。
　　在工业领域，该器件常用于PLC控制器、工业电源模块和LED驱动电源中，提供稳定可靠的整流性能。更重要的是，因其通过AEC-Q101认证，20SEQP68M被广泛采纳于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、电动助力转向（EPS）模块以及新能源汽车的辅助电源系统中。此外，在太阳能微逆变器和储能系统的能量管理单元中，也可利用其高效整流特性来优化能量传输效率。总之，凡是涉及低压大电流、高频率开关和紧凑空间限制的设计，20SEQP68M都是一个极具竞争力的元器件选项。

SQJ482EP-T1-GE3
　　MBRB20H60CT
　　SS20H60S